头条 四分之一市场份额，RISC-V正式跻身主流架构行列 在中美科技竞争日趋激烈的背景下，RISC-V凭借其开源、免费、可定制的特性，被许多人视为中国芯片产业实现"弯道超车"的关键路径。开源的RISC-V，是中国芯未来的重要组成部分，但不是全部答案。 最新资讯 案事件时空格局演变分析 犯罪问题是长久以来存在并困扰人们的一大难题，随着社会经济增长与城市空间结构变化，犯罪问题日益突出。针对福州市财产犯罪问题，运用ArcGIS、CrimeStat分析了2008、2009及2010年盗窃、抢劫、抢夺及诈骗四类财产犯罪数据，研究了犯罪人口空间重心演变规律、犯罪热点判别与可视化，并从不同时间尺度探讨案事件的时间演变特征。研究结果表明，犯罪人口空间分布存在不均衡性；不同类型财产犯罪在不同时间尺度存在不同的聚集情况；每年春节期间以及每天凌晨5点出现犯罪低谷期。 发表于：2015/12/27 基于DDR3-SDRAM 的高速视频传输系统 设计了一种基于多片DDR3-SDRAM多BANK存储技术的传输系统，用于高速视频图像的传输。采用Camera Link总线技术用来接收视频图像数据，采用DDR3-SDRAM用来转存数据，对系统软件进行了搭建，对数据进行编码，并对DDR3-SDRAM多BANK存储进行仿真及分析。结果表明，DDR3-SDRAM多BANK存储技术可以有效地提高DDR3-SDRAM的工作效率，满足高速视频存储的需求。 发表于：2015/12/25 时钟芯片专题 时钟芯片：现在流行的串行时钟电路很多，如DS1302、 DS1307、PCF8485等。这些电路的接口简单、价格低廉、使用方便，被广泛地采用。DS1302是美国DALLAS公司推出的一种高性能、低功耗、带RAM的实时时钟电路，它可以对年、月、日、周日、时、分、秒进行计时，具有闰年补偿功能，工作电压为2.5V～5.5V。采用三线接口与CPU进行同步通信，并可采用突发方式一次传送多个字节的时钟信号或RAM数据。 发表于：2015/12/25 SpaceX回收火箭究竟能省多少钱 SpaceX认为，火箭回收将为民营航天业节约大量成本。在此之前，一旦火箭升空，就会被废弃，导致火箭成了“一次性”的航天器。SpaceX CEO伊隆·马斯克(Elon Musk)表示，“猎鹰9号”火箭的制造成本高达6000万美元，燃料成本仅为20万美元。重复利用火箭可以不断降低这部分成本。从理论上讲，只需要给一枚火箭重复灌入燃料，即可执行多次发射任务。 发表于：2015/12/25 富士通分拆PC和移动业务 北京时间12月25日早间消息，富士通本周宣布，将于2016年分拆PC业务。去年，索尼也对PC业务进行了分拆。 发表于：2015/12/25 美高森美为业界首个基于PCB上LVDT架构的 电感式传感器接口IC系列增添新器件 致力于在功耗、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供其基于感应传感技术的传感器接口集成电路 (IC)系列的全新器件LX3302。该传感器接口集成电路系列是业界首个基于在印刷电路板(PCB)上的线性可变差动变压器(LVDT)架构的感应传感器接口IC产品系列，其中最新的LX3302器件专为在汽车、工业和商用航空市场领域的应用而设计。 发表于：2015/12/25 东芝计划分拆存储芯片业务筹资 东芝社长室町正志周四表示：“我们别无选择，只能推进这一分拆。”由于此前的会计丑闻，今年9月东京股票交易所将东芝股票设定为“警告中证 券”，因此东芝目前很难通过发行股票来筹集资金。如果东芝无法通过贷款或其他手段获得资金，那么就只能尝试将存储芯片业务分拆上市。 发表于：2015/12/25 华润微电子深圳封装测试二期项目开工奠基 2015年12月12日，华润微电子有限公司（“华润微电子”）旗下华润赛美科微电子（深圳）有限公司封装测试二期项目在深圳龙岗宝龙工业区举行奠基典礼。该项目预计于2016年8月竣工，规划封测月产能1亿只。华润集团副总经理朱金坤，深圳市龙岗区相关领导等出席奠基仪式。 发表于：2015/12/25 Mouser备货 Murata微型ZPA系列电容式MEMS压力传感器 高精度、低功耗应用的不二之选 贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Murata的ZPA系列 MEMS压力传感器。该小型 (2.3 × 2.6 mm) 微机电系统 (MEMS) 传感器可提供范围在300至 1,100 hPa之间、分辨率低至0.016 Pa的高精度压力读数。 发表于：2015/12/25 意法半导体（ST）推出新款功率MOSFET，实现更小、更环保的汽车电源 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。 发表于：2015/12/25 <…1597159815991600160116021603160416051606…>
