2nm半导体大战打响！三星2nm时间表公布

据媒体报道，三星计划明年在韩国开始2nm工艺的制造，并且在2047年之前，三星将在韩国投资500万亿韩元，建立一个巨型半导体工厂，将进行2nm制造。 据悉，2nm工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。 作为三星最大的竞争对手，台积电在去年研讨会上就披露了2nm芯片的早期细节，台积电的2nm芯片将采用N2平台，引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。

发表于：2024/2/5 上午11:00:00

德国默克称DSA自组装技术十年内商用

德国默克公司高级副总裁 Anand Nambier 近日在新闻发布会上称，未来十年 DSA 自组装技术将实现商用化，可减少昂贵的 EUV 图案化次数，成为现有光刻技术的重要补充。 DSA 全称为 Directed self-assembly，其利用嵌段共聚物的表面特征实现周期性图案的自动构造，在此基础上加以诱导，最终形成方向可控的所需图案。一般认为，DSA 不适合作为一项独立的图案化技术使用，而是与其他图案化技术（如传统光刻）结合来生产高精度半导体。

发表于：2024/2/5 上午10:46:25

三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片

据报道，三星将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。 消息称三星将发布超高速 32Gb DDR5 内存芯片，容量翻倍且更省电

发表于：2024/2/5 上午10:44:21

英伟达对华特供 H20 AI 芯片已可接受预订

据界面新闻记者援引多位经销商消息，英伟达对华“特供版”AI 芯片 H20 的终端产品已可接受预订，产品形态包括计算卡和搭载 8 张 H20 计算卡的服务器。 有经销商称搭载 8 张 H20 计算卡的服务器拿货价格超过 150 万元，不少经销商认为这一价格有点“虚高”，因此还未决定是否进货。 另有经销商透露，H20 计算卡价格并非固定，会在一定范围内有所浮动，目前英伟达倾向于出售服务器整机系统。

发表于：2024/2/5 上午10:42:00

中国激光雷达卷出新高度，卡住新能源命脉的又一利器？

全球最大的消费类电子展 CES 2024 中，禾赛科技、图达通以及不久前刚在港交所上市的速腾聚创三家中国激光雷达头部企业悉数亮相，积极 " 秀肌肉 "。 禾赛新发布的 AT 系列 " 综合性能巅峰之作 " AT512 是一款 512 线超高清超远距激光雷达，面向搭载智能驾驶系统的量产车，可实现 300 米标准测远（@10% 反射率），最远测距能力达到 400 米。

发表于：2024/2/5 上午10:37:00

卡尔动力与新疆国合能源合作加速L4级自动驾驶技术推广

不久前卡尔动力在新疆正式开启自动驾驶货运运营，并与新疆商贸物流集团旗下的新疆国合能源达成战略合作，加速L4级自动驾驶货运编队技术在新疆的落地推广。

发表于：2024/2/5 上午10:35:39

3nm争夺战：传三星良率0% 台积电却已大赚211亿

据韩媒报道，三星 3nm 工艺存在重大问题，试产芯片均存在缺陷，良品率 0%。报道还指出，由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。 当三星的 3nm 工艺还被困于良率难自解时，台积电的 3nm 工艺已经可以养家了。台积电方面表示，2023 年第四季度的营收得益于 3nm 工艺产量的持续强劲增长。 在 3nm 先进制程工艺上，三星暂时做不到遥遥领先。

发表于：2024/2/5 上午10:27:00

长鑫存储准备自己造HBM内存

据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储 ( CXMT ) 已经开始准备必要设备，计划制造自己的 HBM 高带宽内存，以满足迫切的 AI、HPC 应用需求。

发表于：2024/2/5 上午10:24:32

华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利

华为公开“半导体装置以及半导体装置的制作方法”专利

发表于：2024/2/5 上午10:23:21

SK海力士宣布2026年量产HBM4

据媒体报道，SK海力士表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。 据了解，HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。

发表于：2024/2/5 上午10:21:39