0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计
所属分类：技术论文
上传者：aet
文档大小：324 K
标签： MOS\|IGBT\|元器件
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文档介绍：基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。
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