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前景悲观，美光延迟日本新厂投资计划
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解读全球DRAM大厂延缓建新厂背后原因
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DRAM 1znm的瑕疵，EUV能擦除吗？
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受中美贸易和DRAM跌价影响，SK海力士将放缓投产计划
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DRAM 内存芯片连跌三季度，今年下半年能否恢复正常？
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中国突破了NAND和DRAM技术，可望逐渐减小对国外的依赖
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华邦电抢市 研发20纳米DRAM
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下一代存储技术何时实现规模化发展
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下一代存储技术面临市场窗口期？
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长鑫为减少使用美国原产技术，重新设计DRAM芯片
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长鑫重新设计DRAM芯片，减少使用美国原产技术
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禁售华为，DRAM将价格继续下跌15％
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DRAM-芯片国产化不得不跨的栏杆
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今年存储器市场销售额恐衰减三成，明年才能恢复增长
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半导体行业迎来10年来最低迷的一年 三季度能迎来曙光吗?
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NAND Flash 和 DRAM 的价格将持续下滑将延续到第二季度
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如果没有国外的半导体品牌，国内的半导体厂商会怎么发展？
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2020年次世代存储器放量或迎关键点
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133万亿韩元与三星的芯片野望
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SK海力士 NAND 投片量将减 1 成
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今年12英寸晶圆厂将达121座：新增9座过半来自中国
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STT-MRAM成为存储器的新希望？
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存储芯片价格持续下滑，三星/美光/SK海力士计划削减产能维持价格
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SK海力士1360亿美元芯片集群项目获批
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DRAM跌势恐将持续至下半年
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三星/美光/SK海力士均计划削减产能维持价格
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三星宣布推出1Z纳米工艺DRAM
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