头条 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中，高度安全的数据存储是必不可少的，尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。 最新设计资源 P沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。 发表于：8/19/2016 N沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。 由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 发表于：8/19/2016 利用动态二进制分析方法实现内存自动检测[嵌入式技术][其他] 内存相关程序错误的自动检测技术能够帮助程序员尽早发现程序中的内存相关错误，从而提高软件开发效率，增强软件运行的可靠性。探讨了采用前沿的动态二进制分析技术检测软件中与内存相关错误，为程序员定位错误位置、查找错误、消除错误原因提供准确的信息的方法，为致力于内存程序错误检测技术的研究人员提供参考。在C/C++软件中的内存错误检测实例验证了本文方法的有效性。 发表于：8/18/2016 一种实时数据库数据存储结构的研究[嵌入式技术][数据中心] 为了适应国产化指挥显示控制系统中对大批量过程数据的实时快速存储管理的需求，结合实时系统技术和数据库技术，在自主研究设计的力数实时数据库系统的基础上，研究设计了适合当前背景的内存数据的存储结构、磁盘历史数据的存储结构及数据模型，它能够更好地满足当前指挥显示系统的实际需求。 发表于：8/18/2016 压缩感知在无线传感网络的应用综述[通信与网络][通信网络] 随着信息技术的发展，近些年压缩感知技术格外引人瞩目，在图像视频编码、雷达及微波辐射成像、气象卫星、图像加密、物联网等领域展现出强大的功能与发展前景。首先介绍了压缩感知在无线传感网络领域的发展及研究现状，然后从压缩感知仿真实验和实例、压缩感知的测量方案、压缩感知的解压缩方案、压缩感知在无线传感网络的具体应用四个方面阐明了压缩感知在无线传感网络领域的优势，最后对压缩感知的前景进行了展望。 发表于：8/18/2016 在线社交网络研究概述[通信与网络][通信网络] 在线社交网络是伴随着互联网技术发展产生的，它属于众多复杂网络中的一种。近年来，对于在线社交网络的研究不断深入，研究方向可以细分为网络拓扑特征的分析、虚拟社区划分算法的研究、传播动力学研究、网络采样与重构、网络拓扑识别等。大数据研究的兴起使得在线社交网络的研究更加受到人们的关注。当前，人们的日常生活几乎离不开在线社交网络，也因此每天都会有大量的用户数据产生，分析、利用这些数据可以帮助人们了解自己并创造更多的价值。 发表于：8/18/2016 MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC 发表于：8/18/2016 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思[模拟设计][消费电子] 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 发表于：8/18/2016 什么是耗尽型MOS晶体管[模拟设计][消费电子] 据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。 发表于：8/18/2016 最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型[模拟设计][消费电子] 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。 发表于：8/18/2016 新型高耐压功率场效应晶体管[模拟设计][消费电子] 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFET的结构，分析了解决耐压与导通电阻间矛盾的方法与原理，介绍并分析了具有代表性的新型高压MOSFET的主要特性。 发表于：8/18/2016 场效应晶体管放大器[模拟设计][消费电子] 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据场效应管两大类型--结型场效应管和绝缘栅场效应管可构成相应的场效应管放大器。以下以结型管为例给出三种基本组态放大器的等效电路和性能指标计算表达式，见表5.2-7。图为场效应管具有与晶体管类似的正向受控作用，它也可构成共源极、共漏极、共栅极三种基本放大器。 发表于：8/18/2016 基于稀疏分解的SFM信号的时频分析方法[微波|射频][工业自动化] 针对正弦调频(SFM)信号Wigner-Ville分布(WVD)存在严重的时频交叉项干扰问题，提出了一种基于稀疏分解的时频分析方法。该方法首先由信号的时频参数构建Gabor原子字典，然后利用匹配追踪(MP)算法实现信号分解，并结合改进遗传算法寻找最佳匹配原子，最后将每次分解得到的Gabor原子通过Wigner-Ville变换叠加得到无交叉项的信号WVD。仿真结果表明，该方法能提高对信号稀疏分解的计算效率，且Gabor原子的选取较为灵活，用少量原子可表示信号WVD。与传统的时频分析方法相比，该方法能有效抑制时频交叉项干扰，且保持高时频分辨率。 发表于：8/18/2016 基于ARM的四摄像头光学触摸屏系统研制[嵌入式技术][工业自动化] 针对目前超大触摸屏价格昂贵、通用性差的问题，采用图像识别技术构建了基于ARM的四摄像头光学触摸屏系统。系统通过安装在4个顶点的CMOS摄像头同步采集触摸屏区域图像，ARM微处理器对采集的图像进行触摸点检测，根据触点成像位置和摄像头标定得到触点的方向直线，最后通过计算任意两条直线相交于一点来确定触点的位置。实验表明，此系统对单点和两点触摸能达到99%的识别率，触点坐标位置误差小于2%。 发表于：8/18/2016 MOS管技术:电源应用中场效应晶体管的崩溃效应[模拟设计][消费电子] 在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 转换器设计中 , 使用场效应晶体管当作切换开关已经越来越普遍。在设计中为了减少尺寸大小和提升电源密度 , 其电源操作工作频率也要求越来越高。如此会造成较高的 di/dt 产生使得杂散电感效应加诸于场效应晶体管两端 (Drain & Source) 的瞬间电压会更加明显。尤其在电源开机的霎那间 , 此瞬间电压会达到最大值。这是由于变压器一次侧电感值相当于漏电感 ( 最小电感值 ) 而且输出电容完全未充电的状态所致。幸运的是一般场效应晶体管皆可承受高于某些程度的额定电压范围 , 在此条件范围内设计者并不需要增加额外的保护线路以避免不必要的成本支出。此篇文章可带领各位去判断何种条件下对场效应晶体管所造成的影响 , 进而帮助设计者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡点。 发表于：8/17/2016 «…505506507508509510511512513514…»
