设计应用 基于FPGA的TMR电路跨时钟域同步技术[可编程逻辑][其他] 三模冗余(TMR)电路中的跨时钟域信号可能会受到来自信号偏差和空间单粒子效应(SEE)的组合影响。通过建立数学模型，对这两个问题进行分析和量化。最后针对长脉宽和短脉宽源信号的不同情况，提出了相应的解决方案。 发表于：2/14/2017 10:53:00 AM 晶体管场环终端技术的优化设计及应用[模拟设计][工业自动化] 主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设计并通过优化场环间距来满足晶体管的高耐压要求,并通过Silvaco软件进行工艺和器件仿真。根据仿真结果及理论计算进行浮空场环优化设计，并通过实际流片验证浮空场环对晶体管耐压性能的提高效果。 发表于：2/14/2017 10:43:00 AM 65 nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象[模拟设计][其他] 基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路，在重离子辐照下，对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因，即PMOS由于寄生双极效应，在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重，因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。 发表于：2/13/2017 10:56:00 AM 4H-SiC MESFET特性对比及仿真[通信与网络][通信网络] 通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EPCG，通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EPCG分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明，当EPCG为1/2栅时，最大饱和漏电流取得最大值，在VG=0 V、VDS=40 V的条件下达到了545 mA；当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时，最大饱和漏电流均不如EPCG为1/2栅时取得的最大值。 发表于：2/13/2017 10:43:00 AM 高温存储下不同成分Sn-Pb凸点可靠性研究[模拟设计][工业自动化] 随着我国集成电路封装密度的不断提高，引线键合方式已无法满足需求，倒装焊技术逐渐成为高密度封装主流方向。高温存储对倒装焊凸点的可靠性有着重大影响，界面化合物及晶粒形态均会发生显著变化。以多种Sn-Pb凸点为研究对象，分析高温存储对凸点可靠性的影响，结果表明：10Sn90Pb凸点剪切强度波动幅度较小；Sn含量越高，高温存储后焊料界面处IMC层越厚，63Sn37Pb焊料界面IMC变化最为明显；63Sn37Pb凸点IMC生长速度较快，晶粒粗化现象较为严重。 发表于：2/10/2017 2:06:00 PM 时间同步技术与调度机制的研究[通信与网络][通信网络] 时间触发以太网TTE以其高带宽、高可靠性、高实时性、高兼容性并满足未来航电系统的低重量、高可靠、易测试、低费效比、快速研发等特性而广受国内航天院所的重视。其关键是时间同步技术和TDMA调度机制，时间同步机制提供占用资源少、易实现、高可靠的时钟同步，调度机制提供无冲突、高效的调度表。通过对时间同步技术和调度技术的原理进行分析，提出时间同步和调度的实现方法并指出相关的影响因素和未来的发展方向。 发表于：2/8/2017 2:50:00 PM 面向SAR雷达信号处理的异构多核SoC研究[通信与网络][航空航天] 首先介绍了目前星载SAR(合成孔径雷达) 系统构成，从中分析出开展高性能多核处理器的必要性和紧迫性。接下来介绍了正在研发的面向SAR雷达信号处理的异构多核SoC，详细介绍了芯片的系统结构和片上网络总线。芯片内总线采用多层二维网格总线，每层总线内部存在两种传递模式：动态传递和静态传递。动态面向数据包的灵活传递，静态面向高速数据流传递。最后，在性能和功耗等方面与目前常用的数字信号处理器进行了对比，并说明此异构多核SoC对SAR雷达信号处理结果。 发表于：2/8/2017 2:43:00 PM 基于CCSDS包路由的综合电子遥控遥测信息流应用[通信与网络][通信网络] 对基于CCSDS包路由的一种综合电子系统架构进行了研究，并对这种架构下的遥控遥测信息流的具体应用进行了介绍。提出综合电子路由模块对遥控包分层进行逐次转发的工程应用。研究表明，该方式既保证了遥控遥测信息流转的可靠和完整，也利于实现综合电子模块的标准化与通用化。 发表于：2/8/2017 2:36:00 PM 基于瞬态热仿真的宇航厚膜SSPC可靠性设计研究[模拟设计][航空航天] 以北京卫星制造厂研制的某型宇航固态功率控制器（SSPC）为研究对象，简述了产品的工作原理、热设计、热阻的理论计算；阐述了产品使用时“负载短路时开通”、“容性负载开通”、“开通后负载短路”3种极端瞬态工况，并针对此瞬态工况进行了瞬态热仿真分析，提取了MOS芯片在瞬态工况下达到的最高温度及相关的热态特性，据此优化产品的设计，提高产品使用的可靠性。 发表于：2/8/2017 2:23:00 PM 2.5 GS/s高速DAC陶瓷封装协同设计[模拟设计][通信网络] 随着超大规模集成电路向着高密度、高频方向发展，保证高速信号的可靠传输成为封装电学设计中的关键。完成了一款转换速率为2.5 GS/s的14 bit DAC陶瓷外壳封装设计，利用芯片、封装和PCB的协同设计，保证了关键差分信号路径在2.5 GHz以内插入损耗始终大于-0.8 dB，满足了高速信号的传输要求；并结合系统为中心的协同设计和仿真，对从芯片bump到PCB的整个传输路径进行了仿真和优化，有效降低了信号的传输损耗和供电系统的电源地阻抗。 发表于：2/8/2017 2:11:00 PM «…473474475476477478479480481482…»
