头条 2025Q3数据中心GPU出货环比暴增145% 11 月 25 日消息，机构 Jon Peddie Research (JPR) 当地时间昨日表示，根据其 2025Q3 市场观察报告，上季度全球数据中心 GPU 出货规模环比增幅达 145%，而 PC GPU（含独显与核显）出货则呈现温和增长态势，环比 +2.5%、同比 +4%。 最新资讯 台积电计划在2022年建成3nm工艺芯片工厂 据国外媒体报道，目前高端的智能手机处理器生产工艺都提升到了10nm，而著名的芯片代工商台积电已将芯片工艺目光瞄向了更高端的3nm。 发表于：10/12/2017 台积电3nm制程建厂定在台湾南科 根据台积电的公告表示,经过公司内部的评估,3纳米建厂将再继续落脚台湾,并选择台南做为建厂地点,以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。而这次的公布,较早先台积电所说,将在2018年决定建厂地点的时间有所提早。 发表于：10/12/2017 中国集成电路产业规模首破千亿 背后隐忧仍存 近年来，我国集成电路制造业得到了快速发展，年产值已突破千亿元大关。受利好因素影响，国内正迎来新一轮集成电路投资热潮。但专家表示，集成电路产业核心技术受制于人、产品市场占有率较低、配套的设备与材料发展不足等短板犹待破解。 发表于：10/12/2017 把握新机遇，4G/5G时代下新型元器件与材料面临的挑战 随着4G在全球实现规模商用，5G技术已成为全球移动通信产业的研发重点。5G不仅自身具有巨大的产业价值，还能带动芯片、器件、材料、软件等多种基础产业的快速发展。5G将与互联网、物联网以及工业、交通、医疗等行业应用融合地更加紧密，进而推动新一轮的产业创新浪潮。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。 发表于：10/11/2017 晶体管简介 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 发表于：10/11/2017 电动自行车用电机控制器原理与维修（A） 电动车用电机控制器近年来的发展速度之快，使人难以想象，操作上越来越“傻瓜”化，而显示则越来越复杂化。比如，电动车车速的控制已经发展到“巡航锁定”；驱动方面，有的同时具有电动性能和助力功能，如果转换到助力状态，借助链条张力测力器，或中轴扭力传感器，只要用脚踏动脚蹬，便可执行助力或确定助力的大小。这期本刊开始给您讲述控制器的知识，让您对控制器有一个更全面的了解。 发表于：10/11/2017 mosfet的驱动和保护 电力场效应管是单极型压控器件，开关速度快。但存在极间电容，器件功率越大，极间电容也越大。为提高其开关速度，要求驱动电路必须有足够高的输出电压、较高的电压上升率、较小的输出电阻。另外，还需要一定的栅极驱动电流。 发表于：10/11/2017 mosfet的安全工作区 正向偏置安全工作区，如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ，4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况：直流DC，脉宽10ms，1ms,10μs。它与GTR安全工作区比有2个明显的区别：①因无二次击穿问题，所以不存在二次击穿功率PSB限制线；②因为它通态电阻较大，导通功耗也较大，所以不仅受最大漏极电流的限制，而且还受通态电阻的限制。 发表于：10/11/2017 mosfet的动态特性和主要参数 动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系，它影响器件的开关过程。由于该器件为单极型，靠多数载流子导电，因此开关速度快、时间短，一般在纳秒数量级。Power MOSFET的动态特性。 发表于：10/11/2017 mosfet的静态特性和主要参数 Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。 发表于：10/11/2017 «…3387338833893390339133923393339433953396…»
