头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 群雄逐鹿智能网联汽车 或将引爆万亿级市场 自动刹车、远程控制、无人驾驶……随着互联网和人工智能的飞速发展，汽车正从一种交通工具转变为大型移动终端，智能网联汽车正在向我们的生活大步走来。 发表于：2017/10/16 视频技术助力互联车辆 提供用户全新驾乘体验 据外媒报道，预计2020年互联汽车的全球销量将从2015年的不足700万辆增至6100万辆，为汽车行业带来1410亿美元的收入，为用户带来全新的驾乘体验及舒适享受。 发表于：2017/10/16 2030年或迎来完全自动驾驶车辆 安全问题成隐忧 据外媒报道，据现代集团的一位高级工程师透露，完全自动驾驶车辆将于2030年上市，届时无需驾驶员输入任何指令。 发表于：2017/10/16 无人驾驶汽车还面临两大挑战：数据收集+安全漏洞 据外媒报道，随着汽车公司继续与科技公司和叫车服务公司合作以更快更有效地创新，无人驾驶汽车即将成为现实。但在无人驾驶汽车时代，人们对未来的隐私安全产生了疑问。汽车行业巨头似乎忽视了这样的事实，即创新和便利将会付出代价。在这种情况下，代价几乎就是消费者丧失隐私。 发表于：2017/10/16 Gartner：2017全球半导体产值预计大涨19.7％ 研调机构Gartner预估，今年全球半导体产值可望达4111亿美元，将较去年成长19.7%，是7年来成长最强劲的一年。 发表于：2017/10/16 mos管和三极管相比优缺点? 场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些. 发表于：2017/10/16 IGBT模块工作原理以及检测方法 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 发表于：2017/10/16 绝缘栅双极型晶体管IGBT知识 绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。 发表于：2017/10/16 双极性晶体管 因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。 发表于：2017/10/16 晶体管是怎样制造出来的 晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。它是一种用来对电路信号进行处理的元件，当然电路光有晶体管不行，还得要其他元件配合才能完成一定的电路功能。下面我就来谈谈晶体管的制造过程: 发表于：2017/10/16 <…3393339433953396339733983399340034013402…>
