头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 苹果、三星开始引导高端机型向NVMe SSD、UFS 2.0发展 苹果和三星在智能型手机市场起着领导作用，2015上半年三星旗舰机Galaxy S6/Edged采用64位八核Exynos7420，搭载UFS 2.0+LPDDR4，下半年魅族也采用Exynos7420+UFS 2.0方案推出旗舰机Pro 5，引爆UFS 2.0+LPDDR 4为高端智能型手机标准的风潮。除了三星Exynos7420，高通骁龙810也已支持UFS 2.0和LPDDR4，但由于市场验证速度慢，UFS 2.0较eMMC偏高等原因，大部分智能型手机主要以eMMC 5.0搭配LPDDR4存储方案为主，并向eMMC5.1升级。 发表于：2016/2/19 eMMC已现速度瓶颈，UFS 2.0是未来发展趋势 2015年中高端智能型手机向64位八核发展，eMMC5.0已成为主流，当智能型手机向十核或更高规格发展，eMMC则需要向600MB/s或更高的理论传输速度提升来满足需求。 发表于：2016/2/19 2015年eMMC最高跌幅高达40% 2015年智能型手机已向64位、八核迈进，2016年将向更高规格发展，eMMC速度提升出现瓶颈，UFS2.0最高理论传输速度11.6Gbps，将引领在高端智能型手机中应用，而UFS规范的发展将把速度提上另一个新高度。 发表于：2016/2/19 2016年，3D Flash将续写摩尔定律 与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。 发表于：2016/2/19 NAND Flash产量增加30%，价格快速下滑 2014年1ynm MLC较1xnm MLC每片Wafer的Flash Die产量可增加25%， 2015年Flash原厂全面向1ynm TLC规模化量产，与1ynm MLC工艺比较，每片Wafer的Flash Die产量可增加30%，成本下滑20%。 发表于：2016/2/19 基于日志文件的数据挖掘机理分析与研究 介绍了数据挖掘的定义，分析了日志数据面临的挑战及对其进行挖掘的原因。讨论了日志数据挖掘的需求，归纳了对日志数据挖掘的具体内容，总结了日志数据挖掘的具体应用。该研究对加强企事业单位计算机信息系统安全具有较强的指导意义。 发表于：2016/2/18 2015年NAND Flash市场供过于求，并将延续至2016年 2015年NAND Flash市场供应量增长20%达810亿GB当量，消费类每GB当量销售价格跌幅超过40%。 发表于：2016/2/18 德科技旗下任意波形发生器可提供实时信号产生和更高带宽 是德科技公司（NYSE：KEYS) 近日宣布 M8195A 65 GSa/s 任意波形发生器（AWG）的模拟带宽从 20 GHz 提高至 25 GHz。这种性能提升能够保证更高的信号质量，并且多达四个通道可实现完全同步。 发表于：2016/2/17 瑞萨电子推出硬件故障探测及预警技术 为无人驾驶时代的汽车运算系统提供功能安全标准支持 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出为汽车运算系统的功能安全而研发的硬件故障探测及预警技术。与此同时，还成功开发出一种支持ISO26262 ASIL B汽车功能安全标准、采用16纳米FinFET工艺的汽车运算片上系统（SoC）原型机。 发表于：2016/2/17 基于可拆卸性分析和图方法的目标拆卸序列规划 针对现有目标拆卸序列求解方法在拆卸并行性规划和计算效率上存在不足的情况，提出了一种目标拆卸序列优化算法。基于球面映射、非正交干涉矩阵以及复合拆卸路径判别等方法的运用与改进，研究了零部件可拆卸性分析方法；应用分层图方法，对目标零件进行定位，结合子装配体识别法，去除冗余拆卸步骤，并提高拆卸过程的并行性。通过实例对该方法的有效性进行了验证。 发表于：2016/2/17 <…4288428942904291429242934294429542964297…>
