头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 泰克首届夏令营在华中科技大学成功举办 全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布，由泰克科技（中国）有限公司主办的、华中科技大学启明学院协办的泰克2012夏令营圆满落下帷幕。 发表于：2012/9/3 M31 BCK USB 2.0取得USB-IF协会认证 円星科技 (M31 Technology) 宣布其所开发的 BCK (Built-in Clock，内建频率) USB 2.0，通过与Evatronix的合作，已通过USB-IF协会的完整测试并取得认证标章。 发表于：2012/9/3 Vishay发布新款高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新系列适用于高温钻井和航空应用的高精度薄膜SMD环绕片式电阻阵列---PRAHT。新的PRAHT四电阻网络的工作温度为-55℃～+215℃，最高存储温度为+230℃，是业内首个采用薄膜技术制造的电阻阵列。 发表于：2012/8/31 TE Connectivity推出新款防泼溅Micro USB连接器 成为新潮消费电子产品的理想之选 随着消费电子产品变得日益纤薄小巧，它们也正变得越来越容易由于进水和飘入灰尘而受到损坏。因此，对于Micro USB连接器而言，不仅要保证尺寸和形状上的兼容性，具有相应的防水防尘功能也同样重要。TE Connectivity (TE) 今日推出了采用防泼溅设计的Micro USB连接器，可以将连接器外壳的开口处和内部缝隙处都密封起来，从而提供了最佳的保护效果，优化了用户体验。 发表于：2012/8/31 LSI全新Nytro MegaRAID®加速卡性能提高47倍 LSI公司（NYSE：LSI）日前宣布面向全球渠道推出PCIe®闪存LSI® Nytro™ MegaRAID®卡，为直连存储（DAS）提供简单、透明和低成本的应用加速功能。Nytro MegaRAID卡的独特之处在于采用领先的LSI双核片上RAID（ROC）技术，将PCIe闪存技术、智能缓存软件与企业RAID数据保护功能实现完美结合。 发表于：2012/8/31 坚不可摧！SSD最佳工业设计奖花落源科 前不久，来自国内知名IT门户网站天极网发布的13款主流SSD横向对比评测，源科ProV产品凭借防潮、防霉、防盐雾的三防高标准，加上冷艳、时尚的外观，摘得最佳工业设计奖。 发表于：2012/8/31 CHINASSL2012：为明天做出今天的思考 2012年11月5日-7日，中国广州，第九届中国国际半导体照明展览会暨论坛（CHINASSL2012），为明天做出今天的思考！ 发表于：2012/8/31 CHINASSL2012：不容错过的LED行业盛会 创办于2004年的中国国际半导体照明展览会暨论坛（CHINASSL），秉承每年一届的传统，至今成功举办八届，目前已成为全球规模最大、最具影响力的LED行业盛会。 发表于：2012/8/31 D类放大器原理详解及应用设计指南(三) 本部分讨论音质问题：要利用D类放大器实现整体良好的音质，一些问题必须得到解决。 发表于：2012/8/30 D类放大器原理详解及应用设计指南(二) D类放大器早在1958年就被人们提出，近年来，其应用越来越普及。D类放大器是什么？它们与其它种类的放大器相比怎么样？为什么音频应用钟爱D类放大器？设计和应用一款优良的D类音频放大器需要怎么做？下面本文尝试回答所有这些问题。 发表于：2012/8/30 <…4512451345144515451645174518451945204521…>
