头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 基站射频卡时钟树设计方案 射频卡时钟树的核心必须是一个具有可编程输出频率的抖动衰减器。本文的其余部分将讨论性能属性和需要这些性能属性的原因，以及其他时钟树要求。 发表于：2011/5/12 一种带宽直流放大器的设计 设计了一种由前置放大电路、可预置增益放大电路、低通滤波电路、后级放大电路、直流稳压电路及单片机控制电路组成的带宽直流放大器。其中增益放大电路由两级可变增益宽带放大器AD603组成，增益的预置由单片机实现，滤波器采用二阶巴特沃思滤波器，而后级放大电路可将输出电压有效值放大到10 V。整个设计实现了最大电压增益AV≥60 dB，并且增益连续可调，其制作成本低、电源效率高。 发表于：2011/5/11 CP2230——高效率，高输出功率，高品质的音频放大器 CP2230为启攀微电子(Chiphomer Technology Ltd)日前发布了一颗大功率，超低EMI，超高效率的单声道D类音频放大器。与传统的D类功放不同，该芯片内部集成电荷泵，可在较低电源电压输入的情况下输出2W的功率，该电荷泵采用变频技术，即根据负载情况自动切换工作频率，大大降低了电荷泵的静态工作电流；该芯片采用全新的自主专利架构，其内部集成了电荷泵智能电源管理模块，可根据输入信号的幅值，自动地切换输出级的电压，输入信号低幅值时，效率高达90%，输入信号高幅值时，效率可达到60%；CP2230采用最新主动式电磁辐射抑制技术，显著改善EMI问题。 发表于：2011/5/11 针对无源接口滤波与线性有源滤波器设计的综合解决方案 几乎每个电子系统都有滤波器，无论是无源的，有源的还是数字的。工程师通常开始在心里就决定了滤波器的频率响应和类型。对于简单的无源滤波，供电电压去耦可能就足够了，但是对于更加复杂的滤波则需要考虑更多。为了得到更好的综合解决方案和降低成本，在项目开始时制定出额外的计划可以减少花费和开发时间，并且提高性能。 发表于：2011/5/11 高频AD8331 VGA与10位、65 MSPS/80 MSPS/105 MSPS ADC AD9215的接口 在将具有宽动态范围的模拟信号转换为数字格式，而ADC分辨率不足以捕捉全部有用信息时，可变增益放大器(VGA)可以发挥重要作用。 发表于：2011/5/11 射频卡中天线卡内电源的设计 以校园食堂收费管理系统中的射频卡读写系统为模型，就射频卡的设计原理和应用进行分析。说明并定义了如何建立和调试一个天线单元。另一方面介绍射频卡卡内电源产生电路，解决了非接触式卡内没有电源系统．需要由读卡器通过无线方式供电的问题。 发表于：2011/5/11 新高Q积层电感保持高频电路不受干扰 手机设计得越来越小，然而功能也日益复杂，从而对所有元件的微型化和性能要求更高，当然也包括电感的性能要求。尤其对积层电感，不仅要求尺寸更小，还应达到高Q等级。TDK-EPC通过进一步提高低温共烧陶瓷（LTCC）多层基材的工艺技术已达到该要求。 发表于：2011/5/11 某光电跟踪仪锁定机构检测调试仪的研制 首先介绍了光电跟踪仪锁定机构检测调试仪研制的必要性和紧迫性，接下来介绍了方位锁定机构的特点及主要功能是完成对设备方位锁定机构状态的检测，能够在单板上实现对方位锁定机构加锁、解锁的控制，并能够判断锁定机构状态，实现脱离整机单独调试、排故，并以此制定出检测调试仪的设计方案。对硬件和软件设计部分作出详尽介绍，最后对光电跟踪仪锁定机构检测调试仪的优点作以总结：结构简单、操作简单，为工作提供极大便利。 发表于：2011/5/11 玩具常用RF接收电路设计(3张高频部分) 超再生检波接收器：超再生检波电路实际上是一个受间歇振荡控制的高频振荡器，这个高频振荡器采用电容三点式振荡器，振荡频率和发射器的发射频率相一致。而间歇振荡（又称淬装饰振荡）双是在高频振荡的振荡过程中产生的，反过来又控制着高频振荡器的振荡和间歇。而间歇（淬熄）振荡的频率是由电路的参数决定的（一般为1百~几百千赫）。这个频率选低了，电路的抗干扰性能较好，但接收灵敏度较低：反之，频率选高了，接收灵敏度较好，但抗干扰性能变差。应根据实际情况二者兼顾。 发表于：2011/5/11 基于跨导运算放大器的可变带宽低通滤波器设计 讨论分析了跨导放大器-电容(OTA—C)连续时间型滤波器的结构、设计和具体实现，使用外部可编程电路对所设计滤波器带宽进行控制，并利用ADS软件进行电路设计和仿真验证。仿真结果表明，该滤波器带宽的可调范围为1～26 MHz，阻带抑制率大于35 dB，带内波纹小于0.5 dB，采用1.8 V电源，TSMC 0.18μm CMOS工艺库仿真，功耗小于21 mW，频响曲线接近理想状态。 发表于：2011/5/11 <…5045504650475048504950505051505250535054…>
