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IR推出全新基准MOSFET,将封装电流额定值提升了60%

2008-12-18
作者:国际整流器公司
 

全球功率半导体" title="功率半导体">功率半导体和管理方案" title="管理方案">管理方案领导厂商" title="领导厂商">领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 

 

新器件" title="新器件">新器件的封装电流额定值达到195A,比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ,并可使用常用的TO-220D2PAKTO-262封装。此外,7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平,使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on)  

 

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:这些封装提供的更高电流额定值有助于利用不需要的瞬态提供更多防护频带,而且还能让数枚MOSFET分享高电流的平行拓扑得以减少器件数目。” 

 

全新N信道MOSFET系列提供60V200V的电压,并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS)  

 

产品基本规格如下: 

器件编号 

通道 

类型 

Bvdss
(V) 

RDS(on) 

(mΩ) 

25oC Id  

(A) 

Qg 

(nC) 

封装 

IRFB3006PBF 

N 

60 

2.5 

195* 

200 

TO-220 

IRFS3006PBF 

N 

60 

2.5 

195* 

200 

D2PAK 

IRFS3006-7PPBF 

N 

60 

2.1 

240* 

200 

D2PAK-7 

IRFS3107PBF 

N 

75 

3.0 

195* 

160 

D2PAK 

IRFS3107-7PPBF 

N 

75 

2.6 

240* 

160 

D2PAK-7 

IRFS4010PBF 

N 

100 

4.7 

180 

143 

D2PAK 

IRFS4010-7PPBF 

N 

100 

4.0 

190 

150 

D2PAK-7 

IRFB4115PBF 

N 

150 

11 

104 

77 

TO-220 

IRFS4115PBF 

N 

150 

12.1 

99 

77 

D2PAK 

IRFS4115-7PPBF 

N 

150 

11.8 

105 

73 

D2PAK-7 

IRFB4127PBF 

N 

200 

20 

76 

100 

TO-220 

IRFS4127PBF 

N 

200 

22 

72 

100 

D2PAK 

 

* 封装限制 

 

新款MOSFET系列已经开始供货。产品详细资料可浏览IR 网址: www.irf.com 

 

IR简介 

 

国际整流器公司" title="国际整流器公司">国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。 

 

IR成立于1947年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR全球网站:www.irf.com,亚洲网站:www.irf-asia.com ,中国网站:www.irf.com.cn 

 

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