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集成电路逆市扩张

2015-06-15

       “作为世界上惟一一家可实现铌酸锂单晶薄膜工业化生产的企业,我们拥有产品自主知识产权、定价权,英特尔、IBM 等企业都主动来寻求合作。”济南晶正电子科技有限公司总经理胡文10日告诉记者。

  延伸产业链集聚下游产业

  这家处于集成电路产业链上游的企业在世界上率先开发出了直径3英寸、厚度300-700纳米铌酸锂单晶薄膜产品,并已完成小试、中试,即将进入工业化生产。

  “产品面世后,即获得剑桥大学、哈佛大学、耶鲁大学、清华大学等全球近200余家高科技企业及科研机构认可和订单。目前九成以上客户是国内集成电路领域的知名企业。”胡文告诉导报记者。

  据了解,铌酸锂单晶薄膜是一种新型基片材料,主要应用于光纤通讯,可使波导调制器体积缩小百万倍。还可作为表面波器件,比如高质量的滤波器、延迟线等。而应用于高密度信息存储器件,一片3英寸信息存储量可达70T(相当于1.5万张DVD)。

  “应用于3英寸信息存储卡的铌酸锂单晶薄膜一片可卖到2.8万元,利润率很高。”胡文透露,目前企业正在济南综合保税区建设2万平方米的生产基地及研发中心,一期投资1.5亿元,预计年底即可投产。

  胡文目前最为关注的是如何依托自己的产品,吸引下游器件产业,打造具有特色的产业链以及产业集群。

  “已与国家通讯产业园(CIIIC)达成合作,组建国内最先进的离子注入公共服务平台。”胡文透露,其正与国内外龙头企业合作开发下游元器件产品,将引进国内外大型企业联合成立器件生产研发中心,每年开发8-10项新产品并在园区内进行转化生产,将下游产业链向纵深拓展,用5年时间打造一个产值200亿元左右的小型产业集群。

  创新研发自主知识产权产品

  与济南晶正同处泉城的山东天岳先进材料科技有限公司也在积极打造半导体产业集群。

  据该公司总经理赵吉强介绍,作为世界上少数几家掌握N 型和半绝缘型半导体碳化硅材料生产技术和我国第三代半导体衬底材料行业的龙头企业,山东天岳目前可向市场供应2、3、4、6英寸N 型碳化硅衬底产品和2、3、4英寸半绝缘碳化硅衬底产品,并积极向宽禁带半导体产业链中、下游芯片、器件、装置应用环节延伸发展。

  “目前企业年产能达10万片,满产仍然供不应求。”赵吉强告诉导报记者,我国宽禁带半导体产业发展正处于快速增长期。山东天岳拥有国内外专家60余位,在国内拥有2个省级研发平台,在国外设有4个研发中心,与国内外10余所知名大学及科研机构有多个合作项目,承担着10余项国家级重点项目。

  “正积极联合南车集团、国家电网、中国电子科技集团、苏州能讯、厦门瀚天等产业链中下游核心企业实施协同创新发展,寻求在济南市尽快实现产业集聚。”赵吉强透露。

  作为世界首家同时拥有涂布、压合、溅射三种方法生产电子基材的高新技术企业—山东金鼎电子材料有限公司董事长助理崔恒东告诉导报记者,山东金鼎引进国家“千人计划”人才,成为全球首家同时用涂布、压合和溅射三种工艺方式开发生产三层有胶、二层无胶、透明导电等柔性电子材料的生产研发基地。

  “主导或参与制订了CPCA印制电路行业的多项产品标准;先后取得23项专利,其中8项发明、15项实用新型。”崔恒东告诉导报记者,其主要产品已通过三星、LG、索尼、华为、中兴、小米等电子终端制造商的质量、性能检测,并已成功导入其原材料供应链。2015年3月,与全球第二大软板制造商韩国永丰集团签订了供货合同,并达成韩国市场总代理的销售协议,已批量供货。

  崔恒东透露,金鼎电子现有产能仅能勉强满足韩国永丰两个月的采购规模,目前他们正规划自2015年增加涂布、压合和溅射生产线5条,扩大产能和供货量。

  “围绕集成电路产业山东已经聚集了一批拥有高新技术、知识产权的企业,这些企业在发展过程中,除了不断创新外研发自主知识产权产品外,还积极拓展产业链,主动进行产业集聚,这些都成为他们逆市快速发展的秘诀。”山东省经信委电子信息处调研员刘晶告诉记者。


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