中芯国际执行副总裁李序武表示，28纳米制程除了第一家客户高通(Qualcomm)量产，博通(Broadcom)和华为旗下海思28纳米也会到中芯生产，大陆本地IC设计公司对28纳米需求更是超强。但谈到台积电到大陆设12吋晶圆厂，李序武坦言“台积电的实力强到我每天都睡不好!”

　　李序武表示，中芯目前28纳米制程良率很不错，但仍是有改善空间，重要的是，高通愿意作为第一家量产28纳米制程的客户，对于中芯高度肯定，目前量产的28纳米是PolySiON制程，下一个目标是赶快将28纳米的HKMG制程做出来。很多大客户都在等待28纳米的HKMG制程，一旦量产，海思和博通都会来中芯投产。

　　除了这些国际IC设计大客户之外，另一波绝对不容忽略的趋势，是大陆本地IC设计公司对于28纳米制程需求超强，很多本地IC设计客户都说“只要中芯28纳米HKMG就绪，随时去投产”而这也意味着，其实来自客户端的压力逼得紧。

　　近期在种种因素考量下，台积电也将到大陆设立12吋晶圆厂，李序武表示，台积电技术和竞争力超强，强到让他每天都睡不好。也期许中芯在先进制程开发和良率驱动会更加一把劲。

　　中芯日前宣布和高通、华为、比利时微电子(Imec)一起开发14纳米FinFET制程，目前Imec已有一个团队常驻在中芯厂内，但主要技术开发重任仍是要中芯努力，Imec只是要提供一些基础技术和专利，李序武也表示，这确实可以让中芯少走一些冤枉路。

　　中芯在投入14纳米FinFET制程之前，也评估过像是FD-SOI技术，这技术在2年前非常吸引人，虽然整体表现没有FinFET制程好，但FD-SOI技术的优点是相较于现有制程改变不多，但最后还是走FinFET制程，主要是因为多数客户都是需要FinFET制程。

　　李序武也指出，中芯的14纳米FinFET制程预计在2018年早期风险量产(Risk Production)，此前中芯宣布的量产时间点是2020年。

　　除了先进制程追着摩尔定律跑，在“超越摩尔定律”(More than Moore)布局上，看好智能型手机、物联网(IoT)时代下MEMS感测器需求大爆发，据中芯规划，2015年量产MEMS麦克风、惯性感测器(Inertial Sensing)，预计2016年量产压力感测器等，一步步齐全MEMS感测器产品线全线技术。

　　针对未来半导体技术，李序武也指出三大技术趋势，第一是整合型芯片，如MCU+RF/Wireless、MCU+eNVM+ RF/Wireless;第二是低功耗技术Ultra-Low Power;第三是3DIC/TSV/WLCSP等封装技术。

　　针对RF/Wireless芯片，中芯现以0.11微米、65/55/20纳米制程技术生产，未来除了既有的0.11微米制程，以及65/55纳米制程，也会转进40/28纳米制程技术;嵌入式存储器Embedded NVM/MCU技术上，目前是以0.18/0/13微米LL eNVM技术为主，未来会转进0.11微米和55/40/28纳米ULL eNVM技术。

　　在电源管理芯片PMIC产品上，技术会由0.18~0.13微米LG/LDMOS转到65/55纳米Ultra Efficient LG/LDMOS;在影像感测器CIS上，目前以0.18~0.11微米、90~55纳米制程为主，未来会转到90纳米～55/40纳米3D CIS技术。

　　目前中芯国际有四个生产基地，12吋晶圆厂以北京和上海厂为主，北京12吋晶圆一厂月产能3.7万片，制程技术为0.18微米~55纳米，二厂刚开始量产，未来会以先进制程40~28纳米为主;上海12吋厂月产能为1.4万片，制程技术也是锁定45/40~28纳米;其他8吋厂有上海、深圳和天津厂。