现在大部分智能手机、平板电脑、固态硬盘都采用NAND Flash作为存储部件，NAND和以前存储技术相比有许多优点，存储读取速度快、体积小。不过随着NAND部件存储容量加大，其设计复杂度和存储控制难度等都在加大。一些新型的存储技术自然逐渐出现，对NAND提出了挑战。阻变式存储器（RRAM）就是其中之一，Crossbar公司是RRAM技术的领导者。

       RRAM具有许多新的特性，比如：在单芯片上实现太字节（terabyte）存储，比DRAM高40倍的密度，并具备更高的性能和可靠性；更快的读取速度；比NAND快1,000倍的写入速度；比NAND高1,000倍的耐久性；支持高温环境，可用于数据中心和移动设备。

Crossbar战略营销和业务发展副总裁Sylvain Dubois（左一）

Crossbar首席科学家暨联合创始人卢伟教授（左二）

Crossbar首席执行官暨联合创始人George Minassian博士（左三）

北极光创投董事总经理暨Crossbar董事会董事杨磊博士（左四）  

       “现在有不少新型的存储技术出现，我们跟它们比材料结构非常简单，成本较低，容量可以做的很大。比如像铁电存储器（FRAM）一般都需要二十层左右的材料，这样工艺也会很复杂，而我们就只需要三层。再比如，相变存储（Phase-Change Memory）大概需要100种新材料加进代工厂，而我们只要三层结构，并且没有任何新材料。RRAM在成本和生产方面都有着优势。”Crossbar首席科学家暨联合创始人卢伟教授告诉《电子技术应用》记者。

       北极光创投董事总经理暨Crossbar董事会董事杨磊博士进一步解释说：“对，它本身的器件结构决定了它就不可能贵，但是前提条件是你的生产良率和生产规模要达到一定的程度，但是器件简单的东西，说实话良率只是一个时间的问题。我们现在良率已经非常高了。”

       和很多先进的半导体设计公司大多数是由欧美主导不同，Crossbar有很多“中国基因”。Crossbar技术首先由中国出生的卢伟博士。卢博士在RRAM领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。其次公司成立于2010年，由中国及全球风投投资，北极光创投就是中国投资者之一。最后，最近Crossbar和中国代工厂中芯国际合作采用40nm工艺准备2017年开始量产RRAM。

       虽然RRAM技术先进，存储容量方面占据优势，但是初期受制于生产规模，所以价格会相对较高，将主要针对特定市场。

       卢伟透露说，我们初期会主要针对嵌入式和物联网市场，存储容量规格会主打8M和16M。

       Crossbar首席执行官暨联合创始人George Minassian博士也表示：“物联网和可穿戴设备市场需要节能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技术能提供片上编程和数据存储的嵌入式内存模块，也可单独作为EEPROM内存，将是满足这些需求的理想解决方案。”

       随着RRAM逐渐成熟，也会逐渐进入企业市场、计算中心等行业客户。

       为了更好地服务中国客户，Crossbar还在近日设立了上海办事处，负责技术转让和客户的售后支持。