《电子技术应用》

高通骁龙830传年内发表 首发机Q1现身

2016/4/20 8:00:00

  日本总和情报网站Gadget速报17日转述Fudzilla的报导指出,据可靠的消息人士透露,高通(Qualcomm)采用10nm FinFET制程生产的骁龙(Snapdragon)830处理器将在今年内(2016年内)发表,且搭载该款处理器的智慧手机产品(首发机)将在明年(2017年)Q1现身。

  据报导,除骁龙830之外,目前也已知有比现行骁龙820拥有更高性能的骁龙823处理器的存在,而该款骁龙823产品似乎将持续采用14nm FinFET制程。

  报导指出,从搭载骁龙830的智慧手机可能会在明年Q1现身这点来看,骁龙830可能将撘载在三星Galaxy S7、LG G5、小米Mi 5或宏达电(HTC;2498)HTC 10等旗舰机种的后继机种上。

  微博爆料客i冰宇宙曾于1月22日爆料称,高通骁龙830(代号为“MSM8998”)将采用三星10nm制程、撘载改良版“Kryo”架构、且将支援8GB RAM,预计将在2017年初发布。

  为了对抗高通骁龙820,联发科(2454)3月16日在深圳宣布自家十核心晶片Helio X20即将上市,且更在会场上发布更高阶的Helio X25(用来对抗骁龙823?);而联发科用来对抗骁龙830的产品,应该就是传闻将采用台积电(2330)10nm制程的Helio X30。

  Arena、GSMArena 3月30日引述中国MTK手机网报导,知情人士透露,联发科X30将进一步深挖三丛十核的潜力,不仅确认会应用10奈米制程,且是采用台积电10nm FinFET工艺,预估最快6月就能成功“设计定案”(tape-out),有望年底实现量产。

  韩国时报报导,Bernstein Research分析师Mark. C. Newman 3月10日发表研究报告指出,三星的进度虽然有些拖延,但仍可抢下“业界第一个10奈米晶圆代工厂”的头衔,台积电、英特尔将会紧跟在后,至于格罗方德(GlobalFoundries)则几乎赶不上。

  Bernstein预估,三星的10奈米制程技术会在今年稍晚小幅投产,主要代工自家的处理器以及高通次代行动晶片组“Snapdragon 830”。不过,台积电仍不容小觑,拜产能庞大之赐,台积电也许将后来居上、产量会更多。


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