基于功率合成器的20 GHz CMOS功率放大器设计-AET-电子技术应用

基于功率合成器的20 GHz CMOS功率放大器设计

2016年电子技术应用第5期

李红1，2，贺章擎3，徐元中3

1.湖北工业大学计算机科学与技术学院，湖北武汉430068； 2.华中科技大学计算机科学与技术学院，湖北武汉430074； 3.湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心，湖北武汉430068

摘要： 设计了一个工作频率高达20 GHz、最高输出功率23.4 dBm的CMOS功率放大器（PA），该PA由两级放大器组成，采用全差分Cascode电路结构。PA的输入、级间、输出匹配网络均采用片上变压器实现，实现单端输入、单端输出，功率合成器用来提高PA的输出信号摆幅。该PA基于 TSMC 0.18 μm CMOS工艺模型进行设计，采用Agilent ADS软件进行PA性能仿真和片上变压器的设计，版图仿真结果表明：在20 GHz频段内，PA的输入、输出完全匹配（S11=-13.85 dB、S22=-10.94 dB），小信号增益S21达到21.5 dB，芯片面积仅为0.56 mm2。

关键词： CMOS 功率放大器变压器功率合成

中图分类号： TM277
文献标识码： A
DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.2016.05.011
中文引用格式： 李红，贺章擎，徐元中. 基于功率合成器的20 GHz CMOS功率放大器设计[J].电子技术应用，2016，42(5)：39-41.
英文引用格式： Li Hong，He Zhangqing，Xu Yuanzhong. Design of 20 GHz CMOS power amplifier with power combiner[J].Application of Electronic Technique，2016，42(5)：39-41.

Design of 20 GHz CMOS power amplifier with power combiner

Li Hong1，2，He Zhangqing3，Xu Yuanzhong3

1.College of Computer Science and Technology，Hubei University of Technology，Wuhan 430068，China； 2.School of Computer Science and Technology，Huazhong University of Science and Technology，Wuhan 430074，China； 3.Hubei Collaborative Innovation Center for High-efficiency Utilization of Solar Energy，Hubei University of Technology， Wuhan 430068，China

Abstract： A CMOS power amplifier(PA) operating at 20 GHz with 23.4 dBm output power is presented in this paper. The PA consists of two fully differential cascode amplifiers. The input, inter-stage and output match networks are all realized by on-chip transformers, resulting in single input and output. Output power combiner is adopted to enhance the signal waveform amplitude. This PA including on-chip transformers is designed based on TSMC 0.18 μm CMOS model and simulated with Agilent ADS. Layout′s post-simulation results indicate the input and output are matched well(S11=-13.85 dB，S22=-10.94 dB)，and the S21 reaches 21.5 dB at 20 GHz，the chip area is only 0.56 mm2.

Key words : CMOS；power amplifier；transformer；power combining

0 引言

随着人们对无线数据传输速率的要求越来越高，无线收发器的工作频率需要相应地上升，以实现宽带高速通信网络，如已成功应用于智能手机的60 GHz收发器的短距离无线传输速率超过4 Gb/s。高频毫米波无线收发器早期采用分立元件设计，具有难度大、成本昂贵和质量大等缺陷，不适用于目前智能设备的应用。

CMOS作为IC制作的主流工艺，常用于不同频率范围的无线收发器设计^[1]。频率越高，收发器需要采用更小节点的CMOS工艺，0.18 μm节点处MOSFET管的最高工作频率为53 GHz，65 nm MOSFET的最高工作频率为250 GHz。CMOS工艺节点下降，MOSFET管可承受的交流电压摆幅也相应变小，对无线收发器中功率放大器(Power Amplifier，PA)的影响最大，因为PA通常需要处理大信号，MOSFET管可承受电压摆幅的大小决定了PA的输出功率。所以，如何基于CMOS工艺设计一个高频、高输出功率的PA是一个难点。

本文基于TSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺设计了一个工作频率达到20 GHz的PA，该PA采用全变压器耦合的结构，输出端采用功率合成器实现两路子PA的输出信号相加，增大PA的输出功率。版图仿真结果表明，该PA的输出功率可达23.4 dBm，效率为20.1%，芯片面积仅为0.56 mm²。

1 20 GHz PA的电路结构

本文所提出的PA电路如图1所示，采用两级放大器结构，放大器均为全差分Cascode电路增大PA的增益，避免谐波信号的干扰。射频信号经过输入变压器耦合至驱动级的输入端，经过放大后由级间功分器输出4路信号至功放级，功放级放大后的信号输入至功率合成器，最后输出至负载RL。

输入变压器将单端信号转为差分信号，驱动级共源MOS管的栅端偏置电压从变压器的次级线圈接入；级间功分器将两路输入信号转为四路差分信号输出，变压器的主线圈作为驱动级电源电压VDD_DA输入节点，次级线圈作为功放级共源MOS管的栅端偏置电压接入点；输出功率合成器的作用与级间功分器正好相反，变压器的主线圈作为功放级电源电压VDD_PA输入节点，考虑到功放级的电流较大，在设计功率合成器时需要重点考虑金属耐流。下面详细介绍以上无源器件的实现。

2 无源器件的设计

无源器件是20 GHz CMOS PA的关键模块，其设计直接影响PA的性能，该PA包括以下3个无源器件：输入变压器、级间功分器和输出功率合成器。为了增加金属耐流，变压器、功分器和合成器均采用超厚顶层金属M6作为主线圈，金属层M5作为次线圈，主、次线圈垂直堆叠，增加线圈间的耦合，同时减小器件尺寸，3个无源器件的面积分别为：100×174 μm²、150×120 μm²、150×400 μm²，如图2所示。

图3所示为应用于20 GHz CMOS PA中的片上无源器件的效率仿真结果，可以看到，在20 GHz处，变压器、功分器和合成器的效率分别为：89.1%、86.8%和84.1%。其中效率计算公式如式(1)所示^[2]：

3 20 GHz PA的版图设计

图4所示为20 GHz CMOS PA的版图，面积为0.65×0.86 μm²，射频输入、输出端均采用截距为100 μm的GSG(Ground-Signal-Ground)焊盘，其中射频焊盘S采用高隔离度、低寄生电容的设计^[3]，降低片上损耗。MOSFET管的版图也进行了优化设计，降低寄生电容和电阻，提高MOSFET的性能。为了保证芯片充分接地，衬底接触孔填充于空白处，电源、接地总线绕版图四周，方便接线。

4 PA的仿真结果与分析

基于TSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺模型对20 GHz PA进行版图仿真，结果如图5~图7所示。图5所示为S参数的仿真结果，20 GHz处，S11=-13.85 dB、S12=-56.8 dB、S21=21.5 dB、S22=-10.94 dB。图6所示为单声大信号的仿真结果，扫描输入功率范围-30~10 dBm，20 GHz PA的最高输出功率Psat为23.4 dBm，功率附加效率(Power Added Efficiency，PAE)为20.1%，输出1 dB压缩点20.43 dBm，功率增益为21.4 dB。图7所示为PA的谐波分量，可以看到，所提电路结构对谐波分量的抑制均大于40 dB，线性度满足设计要求。

5 结束语

基于TSMC 0.18 μm 1P6M RFCMOS工艺设计了一个工作频率为20 GHz的PA，采用变压器耦合结构实现射频信号传输和阻抗匹配。高效率的片上无源器件优化了PA的整体性能，功率合成器用以提高PA的输出功率。所设计20 GHz CMOS PA的最高输出功率可达23.4 dBm，20.1% PAE，芯片面积仅为0.56 mm²，可应用于下一代无线移动通信系统。

参考文献

[1] LEI A K Y，DECLERCQ M.A GSM-GPRS/UMTS FDD-TDD/WLAN 802.11a-b-g multi-standard carrier generation system[J].IEEE J.Solid-State Circuits，2006，41(7)：1513-1521.

[2] ZOLFAGHARI A，CHAN A，RAZAVI B.Stacked inductors and transformers in CMOS technology[J].IEEE J.Solid-State Circuits，2001，36(4)：620-628.

[3] LAM S，MOK P K T，KO P K，et al.High-isolation bonding pad design for silicon RFIC up to 20 GHz.IEEE Electron Device Lett.，2003，24(9)：601-603.

[4] CAO C，XU H，SU Y，et al.An 18-GHz，10.9-dBm fully-integrated power amplifier with 23.5% PAE in 130-nm CMOS[C].IEEE European Solid-State Circuits Conference.Grenoble：IEEE，2005：137-140.

[5] FERNDAHL M，JOHANSSON T，ZIRATH H.20 GHz power amplifier design in 130 nm CMOS[C].IEEE European Microwave Integrated Circuit Conference. Amsterdam：IEEE，2008：254-257.

原创声明：此内容为AET网站原创，未经授权禁止转载。

相关内容