第一代半导体材料是元素半导体的天下，而第二、三代半导体材料便成化合物的天下，这其中经历了什么故事？而我国憋足大招准备在第三半导体材料方面弯道超车是否现实？

　　今天就来讲讲半导体材料的故事，从第一、二代走过，第三代半导体材料将讲述怎样的未来。

　　第一代半导体材料

　　20世纪50年代，锗（Ge）站在光鲜的舞台上，应用于低压、低频、中功率晶体管以及光电探测器中，但锗半导体器件在耐高温与抗辐射方面却存在大大的短板，所以在60年代便把主导地位让给了硅。含量丰富、绝缘性好、提纯结晶简单，硅是至今应用最多的一种半导体材料主要应用于数据运算等领域。

　　第二代半导体材料

　　随着科技需求的日益增加，硅传输速度慢、功能单一的不足便暴露了出来，于是化合物半导体材料应运而生。20世纪90年代，搭上移动通信、光纤通信的顺风车，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料逐渐登上舞台，其中以砷化镓技术最为成熟。适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，主要应用于通信领域，比如卫星通讯、移动通讯、光通信、GPS导航等。

　　第三代半导体材料

　　然而随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是特殊场合要求半导体能够在高温、强辐射、大功率等环境下依然坚挺，第一、二代半导体材料便无能为力，于是第三代半导体材料——宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）成为被关注的重点，主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN），较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。

　　第三代半导体材料的崛起还有另外一个契机，半导体材料在生产中的主要污染物有GaAs、Ga3+、In3+等，而随着环保绿色概念的推广，人们试图找寻一种既能满足产品需求，又能不污染环境的新型半导体材料，于是目光投向了有机半导体（在半导体材料中渗入有机材料如C和N），GaN、SiC成为新星。

　　如今，以第三代半导体材料为基础的新兴技术正迅速崛起，抢占第三代半导体材料技术的高地也愈发激烈。第三代半导体材料为何如此耀眼，又将掀起一场怎样的技术革命呢？

　　材料特性

　　第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强的等优点。第三代半导体材料还具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用，且在跃迁时放出光子的能量高，因此会有较高的光发射效率，光子发射的频率也较高。

　　下图为第一、二、三代主要半导体材料的基本性能对比。

　　SiC是一种天然超晶格，又是一种典型的同志多型体。由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，因此SiC有着超过200种（目前已知）同质多型族，最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC。

　　4H-SiC与6H-SiC的带隙是Si的3倍、是GaAs的两倍；击穿电场强度高于Si一个数量级；饱和电子漂移速度是Si的2.5倍。

　　GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点(约为1700℃)材料，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构，原子体积大约为GaAs的一半。GaN受青睐的主要原因是它是宽禁带与硅或者其他三五价器件相比，氮化镓速度更快，击穿电压也更高。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃。

　　AlN具有宽禁带(6.2eV)，高热导率(3.3W/cm？K)，且与AlGaN层晶格匹配、热膨胀系数匹配都更好，所以AlN是制作先进高功率发光器件(LED，LD)、紫外探测器以及高功率高频电子器件的理想衬底材料。

　　金刚石是已知材料中硬度最高的，禁带宽度大(5.5eV)，集力学、电学、热学、声学、光学、耐蚀等优异性能于一身，是目前最有发展前途的半导体材料。

应用领域

　　第3代半导体材料正在引起清洁能源和新一代电子信息技术的革命，无论是照明、家用电器、消费电子设备、新能源汽车、智能电网、还是军工用品，都对第三代半导体材料有着巨大需求。主要应用在半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器以及其他领域。

　　SiC

　　4H-SiC特别适用于微电子领域，用于制备高频、高温、大功率器件；6H-SiC特别适用于光电子领域，实现全彩显示。随着SiC生产成本的降低，SiC半导体正逐步取代Si，为Si遇到的瓶颈所担忧的日子也将结束。

　　1.SiC材料应用在高铁领域，可节能20%以上，并减小电力系统体积；

　　2.SiC材料应用在新能源汽车领域，可降低能耗20%；

　　3.SiC材料应用在家电领域，可节能50%；

　　4.SiC材料应用在风力发电领域，可提高效率20%；

　　5.SiC材料应用在太阳能领域，可降低光电转换损失25%以上；

　　6.SiC材料应用在工业电机领域，可节能30%-50%；

　　7.SiC材料应用在超高压直流输送电和智能电网领域，可使电力损失降低60%，同时供电效率提高40%以上；

　　8.SiC材料应用在大数据领域，可帮助数据中心能耗大幅降低；

　　9.SiC材料应用在通信领域，可显著提高信号的传输效率和传输安全及稳定性；

　　10.SiC材料可使航空航天领域，可使设备的损耗减小30%-50%，工作频率提高3倍，电感电容体积缩小3倍，散热器重量大幅降低。

　　GaN

　　以GaN等为代表的第三代半导体材料，被广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计、电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域，在高亮度LED以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。

竞争格局

　　SiC

　　SiC基本形成了美国、欧洲、日本三足鼎立的局面，可实现碳化硅单晶抛光片的公司主要为美国的Cree、Bandgap、DowDcorning、II-VI、Instrinsic，日本的Nippon、Sixon，芬兰的Okmetic，德国的SiCrystal。

　　Cree与SiCrystal公司占据超过85%的市场份额。美国Cree被认为是此领域的老大，其碳化硅单晶材料的技术水平代表着国际先进水平，专家预测在未来的几年里Cree还将在碳化硅衬底市场上独占鳌头。

　　GaN

　　国外在氮化镓体单晶材料研究方面起步较早，美国、日本和欧洲在氮化镓体单晶材料研究方面都取得了一定的成果，其中以美国、日本的研究水平最高。部分公司已经实现了氮化镓体单晶衬底的商品化，技术趋于成熟，下一步的发展方向是大尺寸、高完整性、低缺陷密度、自支撑衬底材料。

　　美国一直处于领先地位，先后有TDI、Kyma、ATMI、Cree、CPI等公司成功生产出氮化镓单晶衬底。

　　日本住友电工(SEI)和日立电线(HitachiCable)已经开始批量生产氮化镓衬底，日亚(Nichia)、Matsushita、索尼(Sony)、东芝(Toshiba)等正开展了相关研究。

　　欧洲氮化镓体单晶的研究主要有波兰的Top-GaN与法国的Lumilog。

　　AlN

　　AlN单晶材料发，美国、日本的发展水平最高。美国的TDI公司是目前完全掌握HVPE法制备AlN基片技术，并实现产业化的唯一单位。日本的在AlN方面的研究单位主要包括东京农工大学、三重大学、NGK公司、名城大学，已经有研究成果但还未形成成熟的产品。俄罗斯的约菲所、瑞典的林雪平大学在此AlN方面也有一定的研究水平，俄罗斯NitrideCrystal公司也已经研制出直径达到15mm的PVTAlN单晶样品。

　　ZnO

　　在ZnO材料上日、美、韩等发达国家已投入巨资进行研发，日本已生长出直径达2英寸的高质量ZnO单晶。我国在此方面也有所建树有，采用CVT法已生长出了直径32mm和直径45mm、4mm厚的ZnO单晶。

　　第三代半导体材料的大好前程

　　现在已经发展到第三代半导体材料，但是第一代与第二代半导体材料仍在广泛使用。为什么第二代的出现没有取代第一代呢？第三代半导体是否可以全面取代传统的半导体材料呢？

　　Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

　　但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导弹、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

　　我国在第三半导体材料上的起步比较晚，且相对国外的技术水平较低。这是一次弯道超车的机会，但是我国需要面对的困难和挑战还是很多的。