《电子技术应用》

AM5728概述(4)

2016/12/3 9:57:00

1.3.11片上调试支持

片上调试支持下面的特征:

支持多处理器的调试,让用户控制内嵌在器件中的多CPU核,比如:

单个或多个处理器的全局启动调试和停止

每个处理器能产生触发,这可用于改变其它处理器的执行流程

系统时钟定时和掉电

多器件的互联

通道触发

目标调试,使用:IEEE1149.1(JTAG),或IEEE1149.7端口

在正常运行模式下,功耗的降低

调试子系统包括:

IEEE1149.7适配器

模拟和测试控制使用通用的TAP

调试存取端口(DAP)

内嵌的追踪宏(ETM)

追踪端口接口单元(EPIU)

内嵌的追踪缓冲(ETM)

模拟脚管理(EPM)

交叉触发(XTRIG)

调试子系统还提供:

CJTAG_ADAPTER基本的扫描配置支持

ICEMelter,用于控制模拟电源域的唤醒和掉电

L3_INSTR CORE仪器互联

OCP观测点(OCP-WP)用户监视L3互联交易,这发生于目标交易属性与用户定义属性匹配或外部调试事件触发的时候。

电源管理事件分析器

时钟管理分析器

统计信息收集器

1.3.12电源、复位、时钟管理

PRCM模块实现对时钟和电源的高效控制以满足性能要求的同时还降低电源功耗。PRCM模块划分成:

电源和复位管理(PRM):

动态时钟门控

动态调整电压和频率

动态电源切换

静态泄漏管理

时钟管理(CM),用于时钟的产生和分配,减少动态功耗。

1.3.13片上内存OCM

器件包括多达3个片上内存控制器OCMC实例,带ECC的关联RAM。总共容量达2.5MiB。

OCMC RAM可实现环形缓冲(要求8MiB虚拟地址空间)。

一个OCMC带关联ROM,容量256KiB

在唤醒域,存储和恢复内存/暂存。

1.3.14内存管理

系统DMA控制器具有128个硬件请求,32个优先级的逻辑通道,256x64bitFIFO在有效的通道间可动态定位.

EDMA控制器支持2个同时读和两个同时写物理通道,多达64个可编程逻辑通道。

动态内存管理(DMM)模块,执行全局地址翻译,地址旋转(tiling)和在两个EMIF通道间的交织存取

2个内存管理单元(MMU)具有4KiB、64HiB、1MB、16MB可编程页尺寸和32个entries  TLB

MMU1专属于EDMA

MMU2专属于PCIe

1.3.15外部内存接口

两个32bit DDR控制器(EMIF1和EMIF2),每个都具备下面特点:

SECDED支持32bit和16bit/窄模式

可编程寻址模式,以定义SECDED保护区域

校验位计算和存储:所有SECDED保护地址区域进行的写操作

校验的验证:所有SECDED保护地址区域进行的读操作

1bit和2bit错误的统计

双端口控制器,以实现不同应用之间的高效内存共享

每个内存端口控制器有32bit数据通道,2个片选

每个片选支持2GiB空间,通过MPU扩展寻址范围,提供总共4GiB可寻址的SDRAM空间。

EMIF1控制器支持一位出错纠正两位出错检测(SECDED:single bit Error Correction and Dual Error Detection)

通用目的内存控制器(GPMC)支持下面类型的存储器:

异步SRAM

异步或同步NOR FLASH内存

NAND Flash 内存,通过错误定位模块(ELM)实现多达16bit的ECC

Pseudo-SRAM器件。

4 SPI模块,支持1到4寻址字节,用于SPI NOR FLASH,高达66MHz单数据速率。


继续阅读>>