据韩媒报导，传三星电子 （Samsung Electronics） 已在磁阻式随机存取内存 （MRAM） 取得重大进展，市场估计在 5 月 24 日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的 MRAM 内存。

　　由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存“磁电阻式随机存取内存 （MRAM）”，与含 3D XPoint 技术的“相变化内存 （PRAM）”及“电阻式动态随机存取内存 （RRAM）”。

　　上述三类次世代内存皆具有非挥发性内存技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代内存处理速度，将比一般闪存内存还要快上十万倍。

　　目前三星电子正大力发展 MRAM 内存，而另一半导体巨擘英特尔 （INTC－US） 则是强攻含3D XPoint 技术的 PRAM 型内存。

　　全球最大半导体代工厂台积电亦曾在4 月13 日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型内存领域，因为台积电目前已具备“量产”MRAM 及电阻式动态随机存取内存 （RRAM） 等新型内存之技术。

　　据韩国半导体业内人士透露，全球半导体巨擘正在次世代内存市场内强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。

　　《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取内存 （MRAM）、相变化内存 （PRAM）、电阻式动态随机存取内存 （RRAM） 等三大次世代内存中，又以 MRAM 的处理速度最快，但也是最难量产的内存类型。

　　据了解，目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体 （NXPI－US） 已经决定采用三星电子的 MRAM 内存，以应用在相关的物联网装置之上。