随着3D NAND快闪(Flash)内存技术日益成熟，以及相关供货商大力推广下，工业用储存所采用的内存规格今年将大举转向3D NAND方案，同时也将导入传输效能更好的PCIe接口，以进一步提高储存容量密度与产品性价比。

宇瞻科技(Apacer)垂直市场应用产品处处长林志亮表示，2D微缩制程已进入瓶颈，使得内存制造商扩大采用新型3D堆栈与三层式储存(TLC)设计架构，让NAND Flash芯片容量密度激增，且成本显著下滑，吸引固态硬盘开发商大举采纳，用以打造兼具高储存容量和价格优势的新产品。

林志亮认为，在工业内存制造规格上，2017年最大改变除了将2D NAND汰换成3D NAND之外，过去在工业应用领域中，较少有AES数据加密功能的产品，预计导入AES数据加密功能的内存也将会是2017年一大重点，尤其是军工产品。

不仅如此，PCIe接口规格导入工控储存产品也将是2017年的亮点之一。 现阶段PCIe接口主要的应用市场在云端服务器领域，因为该领域对于大容量与宽带的需求殷切；不过，后续针对同样要求高效能的军工、电竞市场，都是下一步将导入的重点领域。

整体而言，林志亮推测，2018年开始，将有一半以上的工业计算机(IPC)厂商开始陆续采用3D NAND，预估2017下半年会陆续做验证动作。

林志亮分析，近两年内存产业与过去几年大相径庭。 一般而言，内存市场会随着季节性的变化，营收有高低起伏的变动，少有内存产业会连续成长超过六季，这归因于两项重大刺激因素所导致。 首先，在于2D NAND闪存转向3D NAND技术轮替，使得内存产能供不应求；再者，各种终端装置对整体内存需求量的成长，尤其是汽车产业。

林志亮谈到，过去内存产业主要需求来自于手机厂商，但近年智能汽车市场的起飞，对于各式各样传感器、相机与内存的需求急速攀升，助长内存产能扩增。 此外，大量使用动态随机存取内存(DRAM)与NAND Flash的PC、Ultramobile、服务器与固态硬盘等电子设备，也将带动半导体营收的增加。