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三星完成基于EUV的5 nm FinFET工艺技术开发

2019-04-16
关键词: 三星 EUV 5nm

  4月16日,三星电子宣布其基于EUV的5 nm FinFET工艺技术已完成开发,现已可以为客户提供样品。

  与7nm相比,三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%,功耗降低了20%,性能提高了10%,从而获得更多创新的标准单元架构。与7nm LPP一样,三星的5nm制程在光刻中使用了EUV技术,并减少了掩模层,同时提供更好的保真度。

  三星表示,5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm专利应用到5nm。因此,7nm客户过渡到5nm将极大的降低成本,预先验证的设计生态系统,能够缩短他们5nm产品的开发时间。

  三星电子晶圆代工业务的执行副总裁Charlie Bae 表示:“成功完成5nm开发,我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力。为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求,以区分其下一代产品,我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”

  2018年10月,三星宣布准备并初步生产7nm工艺,这是其首个采用EUV光刻技术的工艺节点。该公司已提供业界首批基于EUV的新产品的商业样品,并于今年初开始量产7nm工艺。

  此外,三星正在与6nm的客户合作,这是一个定制的基于EUV的工艺节点,并且已经收到了其首款6nm芯片的流片产品。

  Charlie Bae还指:“考虑到包括PPA(功率性能区域)和IP在内的各种好处,三星基于EUV的先进节点预计将对5G、人工智能、高性能计算(HPC)等新型创新应用有很高的需求,利用我们强大的技术竞争力,包括我们在EUV光刻技术方面的领导地位,三星将继续为客户提供最先进的技术和解决方案。”

  三星代工厂基于EUV的工艺技术目前正在韩国华城的S3生产线上生产。此外,三星将把其EUV产能扩大到华城的新EUV生产线,该生产线预计将在2019年下半年完成,并从明年开始增产。

  值得一提的是,三星在10nm节点以下的唯一对手台积电在本月初已经宣布,其5nm工艺顺利进入试产阶段,相比之下三星的脚步还是慢了一拍,但是俗话说好饭不怕晚,二者之间孰好孰坏还需要等到量产之后才能见真章了。