2 月 28 日讯，格芯（GlobalFoundries）宣布其已经完成了 22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。

　　eMRAM 这种综合了 RAM 内存、NAND 闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据，写入速度则数千倍于闪存，可以兼做内存和硬盘，甚至统一两者。同时很关键的是，它对制造工艺要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品价格自然不会太离谱。

　　事实上，除了 格芯外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究 eMRAM。

　　eMRAM 具有许多优势，它不涉及电荷或电流，而是使用磁存储元件，并依赖于读取由薄势垒分隔的两个铁磁膜的磁各向异性。该方法在写入数据之前不需要擦除周期，这意味着更高的性能。此外，可以使用现代工艺技术生产 MRAM，并且具有很高的耐久性。该技术有一些缺点，最终将通过使用 ReRAM 的制造工艺来解决，但 格芯和三星 Foundry 认为 MRAM 在绝大多数应用中都具有巨大潜力。

　　格芯表示，使用其 22FDX 和 eMRAM 工艺技术生产的测试芯片，在 ECC 关闭模式下，在 -40°C 到 125°C 的工作温度下，具有 10 万个周期的耐久性和 10 年的数据保持能力。此外，公司的 eMRAM 测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括 LTOL(168 小时)、HTOL(500 小时)和 5x 焊料回流，故障率

　　格芯在德国德累斯顿的 Fab1 中使用 22FDX 技术生产这种芯片。这种差异化 eMRAM 部署在业界最先进的 FDX 平台上，在易于集成的 eMRAM 解决方案中提供了高性能 RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使客户能够交付新一代的超高性能，低功耗 MCU 的物联网应用。

　　eMRAM 是一种可扩展功能，预计将在 FinFET 和未来的 FDX 平台上推出，作为公司先进 eNVM 路线图的组成部分。格芯位于德国德累斯顿 1 号晶圆厂的先进 300mm 产品线将为 MRAM22FDX 的量产提供支持。

　　此外，格芯的 eMRAM 测试产品还可以通过标准可靠性测试，包括 LTOL（168 小时）、HTOL（500 小时）和 5x 焊料回流，故障率<1ppm，而生产中的的磁抗扰性问题也得到了有效解决。