长江存储宣布128层3D NAND闪存芯片研发成功
2020-04-13
来源：网易科技
4月13日消息，长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060，以满足不同应用场景的需求。
据了解，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。
长江存储表示，公司用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。
另据财联社报道，预计2020年底-2021年中旬陆续量产，目标达到月产能10万片；供应链消息透露，这款闪存已送样。
本站内容除特别声明的原创文章之外，转载内容只为传递更多信息，并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题，请及时通过电子邮件或电话通知我们，以便迅速采取适当措施，避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话：010-82306118；邮箱：aet@chinaaet.com。