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台媒:台积电2nm大突破

2020-07-14
来源:半导体行业观察
关键词: 台积电 2nm GAA FinFET

    台积电冲刺先进制程,在2纳米研发有重大突破,已成功找到路径,将切入GAA(环绕闸极)技术,为台积电发展鳍式场效电晶体(FinFET)取得全球绝对领先地位之后,迈向另一全新的技术节点。尽管劲敌三星已早一步切入GAA,台积电仍有信心以2纳米切入GAA技术,在全球晶圆代工市场持续维持绝对领先地位。
   

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    这是台积电继去年9月正式对外宣告投入2纳米技术研发之后,在2纳米技术的重大进展,凸显台积电强大的研发实力,预料台积电最快会在下月举行的技术论坛,宣告这项重大的技术成果。台积电并未对此评论。
    台积电3纳米预定明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电2纳米推出时间将落在2023年到2024年间。
台积电在今年4月法说会时,宣布3纳米仍会沿用FinFET技术,主要考量是客户在导入5纳米制程后,采用同样的设计即可导入3纳米制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。
    不过,面对三星已决定在3纳米率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超车台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2纳米研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径,台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入,为台积电在先进技术布局,做了重大的贡献。
罗唯仁目前是台积电最资深的副总经理,原本计划在三年前退休,被董事会慰留,持续领导台积电研发向前冲刺。
    虽然台积电对此刻意保持低调,也未宣布2纳米将采用何种制程技术。不过,台积电供应键透露,由于FinFET在3纳米以下即会碰到瓶颈,因此台积电选择切入GAA技制,脚步虽比三星晚,但台积电有信心会领先竞争对手,持续站称全球晶圆代工龙头地位。
    台积电目前集重兵在5纳米制程与三星决战,从客户端导入5纳米制程塞爆台积电产能,再次验证台积电先进制程再度成功完封三星,独揽苹果新世代A14处理器代工大单,未来3纳米即使沿用FinFET技术,仍以优越的成本优势,独家为苹果代工生产A15处理器。

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