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台积电工艺漂移:CPU可集成192GB内存

2020-10-27
来源:与非网

  在半导体工艺这件事情上,台积电真是越做越精,越做越强大,几乎拉开了什么都想玩一玩的英特尔。据媒体报道,作为全球一号代工厂,台积电已经开始大规模量产第六代 CoWoS 晶圆级芯片封装技术,集成度大大提高。

  我们知道,如今的高端半导体芯片越来越复杂,传统的封装技术已经无法满足,Intel、台积电、三星等纷纷研发了各种 2.5D、3D 封装技术,将不同 IP 模块以不同方式,整合封装在一颗芯片内,从而减低制造难度和成本。

  CoWoS 的全称为 Chip-on-Wafer-on-Substrate,是一种将芯片、基底都封装在一起的技术,并且是在晶圆层级上进行,目前只有台积电掌握,技术细节属于商业机密。

  它属于 2.5D 封装技术,常用于 HBM 高带宽内存的整合封装,比如 AMD Radeon VII 游戏卡、NVIDIA V100 计算卡都属于此类。

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  CoWoS 封装结构简图

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  Radeon VII 集成封装了四颗 HBM

  台积电当然也不会披露第六代 CoWoS 的细节,只是说可以在单个封装内,集成多达 12 颗 HBM 内存。

  最新的 HBM2E 已经可以做到单颗容量 16GB,12 颗封装在一起那就是海量的 192GB!


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