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中国芯片制造突围之路在哪长,江存储杨士宁一语点破

2020-11-21
来源:21ic

在“2020北京微电子国际研讨会暨IC World学术会议”上,长江存储科技有限责任公司CEO杨士宁发表了《新形势下中国芯片制造突围的新路径》的主题演讲,其中,杨士宁讲到,要在三维集成上寻找突围之路,他指出,集成电路由二维向三维发展是必行趋势。这可能不是一条唯一的路径,但确是一条需要强烈探索的路径。

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2017年年底,长江存储正式推出了国产首个32层 3D NAND闪存,2018年8月又推出自家的独门绝技Xtacking架构。

据悉,传统3D NAND架构中,外围电路约占芯片面积的20~30%,降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高,外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。总结下来, Xtacking技术具有四方面优势:一是速度快,具有更好的性能表现;二是工艺更结实;三是成本可控,因为密度高;四是具有更高的灵活性。

21ic家注意到,有了创新的Xtacking技术,长江存储加快了新产品的研发进度,2020年4月,长江存储抢先推出了128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070。

据杨士宁透露,目前长江存储的技术已经处于全球一流的水准,下一步就是解决产能的问题,值得注意的是,长江存储用3年时间完成了国际大厂们6年走过的路,走出了一条中国存储制造的突围之路。


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