这几天，第三代半导体又双叒叕火了，火的程度不亚于年初小米推出氮化镓快充引起的热浪。

这次引起关注的主要原因是网上流传的一个消息，据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定的“十四五”规划。

第三代半导体主要应用于功率器件和射频器件，对制程工艺要求没那么高，但又是一个严重落后的领域，如果在这方面能够实现逆转，

也是一种策略。

什么是第三代半导体?

从半导体的断代法来看，硅(Si)、锗(Ge)为第一代半导体，特别是 Si，构成了一切逻辑器件的基础，我们的 CPU、GPU 的算力，都离不开 Si 的功劳;砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为第二代半导体的代表，其中 GaAs 在射频功放器件中扮演重要角色，InP 在光通信器件中应用广泛……

而到了半导体的第三代，就涌现出了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等新兴材料。

商道创投网5月21日官方获悉：第三代半导体材料SiC(碳化硅)单晶衬底研发、制备以及销售公司同光晶体于近期完成数亿元D轮的融资。本轮融资由联新资本领投，浩澜资本、北汽产业投资基金、云晖资本、梵宇资本联合投资。

同光晶体：助力“中国芯”

成立于2012年5月，总部设于河北省，同光晶体主要从事世界上新一代半导体材料SiC单晶片的研发和生产，即第三代半导体材料碳化硅衬底。公司产品已涵盖直径4-6英寸导电型和高纯半绝缘型碳化硅单晶衬底片，达到世界先进水平。目前，公司已建成完整的碳化硅衬底生产线，是国内著名的碳化硅衬底生产企业。

同光晶体的第三代半导体研发成功，小小的晶片为电子业带来革命性的变革，器件主要应用于电子电气领域包括5G通讯、新能源汽车、高压快充、国防军工、卫星、雷达等。打破发达国家长期以来对我国的技术封锁和产品禁运，有效破除制约碳化硅中下游产业发展的瓶颈，带动电力电子、光电、微波射频等行业千亿产业的发展，为我国第三代半导体产业做大做强奠定了重要基础。

同光晶体在科研方面与院士团队建立了紧密的联系，成立了“院士工作站”、“SiC单晶材料与应用研究联合实验室”，设立了“中国科学院半导体研究成果转化基地”，作为“高层次创新团队”得到河北省人民政府表彰;同时承担了多项国家科研项目公司内设立院士工作站及博士后流动站。公司的联合研发中心与院士团队合作进行课题研究。搭建第三代半导体材料检测平台，有效推动科技创新要素加速聚合，促进科技创新资源的集成开放和共建共享，填补了国内高端晶片的市场空白。

半导体材料作为产业发展的基础，经历了数代的更迭，以碳化硅(Sic)及氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，特别是在苛刻条件下备受青睐，成为未来超越摩尔定律的倚赖。

与第一二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，所以又叫宽禁带半导体材料。根据CASAResearch数据，消费类电源、商业电源和新能源汽车为Sic、GaN电子电力器件的前三大应用领域，分别占比28%、26%和11%。

在第一二代半导体材料的发展上，我国起步时间远远慢于其他国家，导致在材料上处处受制于人，但是在第三代半导体材料领域国内厂商起步与国外厂商相差不多，有希望实现技术上的追赶，完成国产替代。

第三代半导体材料主要应用于功率器件和射频器件，目前以碳化硅、氮化镓为代表，两者可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。在当前国际形势下，中国第三代半导体供应链正在加速本土化。随着5G、新能源汽车、消费电子等行业的快速发展，碳化硅和氮化镓产业和相关企业将迎来空前的发展机遇。亚化咨询预计，未来几年内全球SiC和GaN器件市场将保持25%-40%的高增速。

然而，随着国内第三代半导体材料的生产技术不断优化，质量品控的提升、产业链上下游的协同发展，预计在2025年SiC单晶衬底成本便会降至Si基板的2倍，届时在国内市场将迎来第三代半导体材料应用爆发期，应用市场将达到170亿元规模，其中绝大部分应用将集中在功率器件方面。

半导体业内有句俗语说，“一代材料一代器件，一代器件一代应用”，新兴材料的崛起是半导体产业发展的必然路径。郑清超告诉36氪，公司早在初创时期便意识到半导体材料的进步对下游应用有直接且深远的影响。同光晶体从2012年创建以来便决心扎根在半导体产业的最上游，通过不断打磨产品生产技术，不断扩充产能，为下游厂商提供良率更高，性能参数更优，成本更低的SiC单晶衬底材料。

伴随着新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等行业的快速发展，碳化硅器件及碳化硅基氮化镓器件产品的需求也将不断攀升，从而拉动全球碳化硅衬底的需求。

在碳化硅衬底制造这块儿，随着全球6英寸碳化硅衬底生产技术的成熟完善、产品质量与稳定性的逐步提高，国际上第三代半导体外延及器件厂商对于量产用碳化硅衬底的需求已大体从以往的4英寸产品为主为升级到6英寸产品为主。尽管Cree正在建设及扩产其全世界第一个8英寸碳化硅衬底的工厂，蛋在8英寸碳化硅衬底尚未实现成熟商业化的前提下，预计未来约5年内6英寸碳化硅衬底产品仍是碳化硅衬底市场的主流。

为什么说第三代半导体是中国大陆半导体的希望?

第一，第三代半导体相比较第一代第二代半导体处于发展初期，国内和国际巨头基本处于同一起跑线。

第二，中国有第三代半导体的应用市场，可以根据市场定义产品，而不是像之前跟着国际巨头做国产化替代。

第三，第三代半导体难点不在设备、不在逻辑电路设计，而在于工艺，工艺开发具有偶然性，相比较逻辑芯片难度降低。

第四，对设备要求相对较低，投资额小，国内可以有很多玩家。在资本的推动下，可以全国遍地开花，最终走出来几家第三代半导体公司的概率很大。

第三代半导体的风口来了，那么各怀心思蹭热点的现象也层出不穷。氮化镓(GaN)，在应用上早已不是新鲜事，氮化镓(GaN)之所以被选出来作为半导体材料的初衷，为了蓝光LED而生。现在政策利好的第三代半导体，主要应用于射频、功率等领域，是一个升级的应用过程。