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电动汽车为什么热衷SiC?SiC芯片及封装技术进阶之路

2021-12-13
来源:探索科技TechSugar
关键词: 电动汽车 SiC 芯片

SiC(碳化硅)为人们熟知还要感谢电动汽车率先打响了搭载的第一枪,特别是特斯拉,据说其平均每2辆电动车就需要一片6英寸SiC晶圆;SiC器件市占率高达6成的科锐(Cree)产能几乎被它包了一半。

市场调研公司Yole Développement在《电动出行之功率电子2021》中指出:“在市场增长和设计机会方面,SiC已成为最具活力的技术之一。SiC正在渗透到汽车应用的新赛道。”Yole预计,这一市场在2023年之前仍可保持44%的增长速度。

电动汽车为什么热衷SiC?

本世纪初,SiC器件开始商业应用,20年里,已经从高端市场的专利演变为大众市场应用。随着越来越多公司对SiC器件感兴趣并持续投资,其发展势头与日俱增。作为硅的“年轻竞争者”,2020年SiC市场价值已超过6亿美元。

Yole功率电子技术与市场分析师Ana Villamor认为:“电动汽车基本上有三种转换器:主逆变器、DC-DC和OBC。由于功率水平较高,主逆变器是最大的市场,其功率半导体含量最高。”

在功率半导体市场,预计2026年SiC模块价值将比2020年翻一番。事实上,目前SiC模块成本仍是650V IGBT模块的3倍,但生产规模较大时,这种差异将会缩小,过渡到8英寸晶圆以及1200V器件的渗透,将有助于使用更高的电池电压,进一步提升效率。

正如Yole的团队在报告中所分析的那样,EV/HEV供应链继续受到需求和技术趋势增长的影响。为电动汽车提供领先半导体的制造商,如英飞凌科技、三菱电机、意法半导体、罗姆、日立、东芝、安森美、UnitedSiC、CISSOID等众多企业都推出了与汽车相关的最新SiC产品,正在为Tier 1、主机厂提供SiC功率模块,也包括分立器件。

这只是一个缩影

势头迅猛的电动出行对SiC的拉动只是一个缩影。清华大学电机工程与应用电子技术系教授赵争鸣认为:“人们之所以非常热衷于SiC,是因为它具有电力电子应用期待的三高特性:高频、高温、高压。但理论与现实差距还是有的,特别是当你真正使用这种器件时。”

他指出,功率器件就是一个开关,利用开关频率对电力进行采样,得到所需的波形,虽然频率越高越好,但高频会增加损耗。在高频应用方面,因为SiC器件大幅降低了损耗,频率才能提上去,给电力电子设备带来极大的好处。

有了SiC器件,就可以实现高频,大幅提升设备特性。正是由于这一特征,SiC最早是二极管,后来是SiC MOSFET,中间曾经有J-FET过渡产品,现在基本都是MOSFET,进一步发展将是IGBT。做成器件后,其显著特点是大电流、小通态电阻,为大电压、大功率应用带来了很大好处。

赵争鸣教授还表示,电力电子器件和微电子器件的最大区别是弱电控制强电。控制的功率越大,器件水平越高。其另一个特点是高电压,击穿场强可以高十倍,从而把耐压提上去。从原来80mΩ到16mΩ,差不多是5倍,1200V就可以通过650A电流;10kV可以做成SiC MOSFET,15kV可以做成SiC IGBT,22kV可以做成SiC BJT。

这么高功率的器件原来只能用晶闸管来做,IGBT做不到。SiC的初期一般是低电压、大电流,或者小电流、高电压,现在同时实现了高电压和大电流,如3.3kV,750A及10kV,240A SiC MOSFET,覆盖的电压和电流等级越来越大,并且还在发展中,所以今后大功率SiC将是主流,值得期待。

应用方面,由于SiC器件电压和电流越来越大,从UPS电源到电动汽车、全电飞机、高速电机等高压应用,以及新能源、高速铁路、舰船、中压配电网等大电流应用都已进入实用阶段。

三代SiC器件的迭代

在SiC器件和封装发展进程中,窥一斑即可知全豹。三菱电机半导体大中国区应用技术经理马先奎讲述了这样的历程。

上世纪90年代初,三菱电机开始研发SiC产品;2010年,一些SiC器件已在各种各样产品中商业化;2015年后,除了开发新器件外,一直在做从小功率到大功率产品的拓展。

在SiC芯片技术方面,2015年已开发出第二代产品;2018年推出第二代平面栅6英寸产品,针对高压器件内嵌了SBD芯片,并着手开发第三代沟槽栅芯片。其产品性能不断提升,损耗不断降低,以满足更多应用领域的需求。

第二代SiC MOSFET芯片仍采用平面栅结构,特点首先是低通态损耗;还采用了JFET掺杂技术以及薄晶圆工艺。在导通电阻方面,通常JFET层和漂移层所占比重非常大,而随着器件额定电压升高,占比会越来越大。三菱电机通过JFET掺杂技术降低了JFET导通电阻,从而降低了器件损耗,还同步优化了器件的开关损耗。

到了第三代SiC芯片,三菱电机采用了沟槽栅结构,用多离子倾斜注入技术来形成MOSFET芯片。好处首先是栅氧场强降低了,芯片可靠性提升,加上之前的JFET掺杂技术降低了沟槽电阻,也优化了导通电阻。此外,工艺的提升并没有带来特殊要求,其可生产性保持不变或加强了。

高压SiC MOSFET晶圆则采用了另一个思路,内嵌SBD技术,实现了额定电压3300V、6500V的模块。其好处是,以前的产品需要在模块中封装MOSFET和SBD,现在用一个芯片实现,芯片面积小了很多。这样,就可以给客户带来成本方面的效益。

除了高压SiC MOSFET,三菱电机还在研发更高电压的芯片,如双极性器件、SiC IGBT,实际样品也通过了验证,耐压达到了13000V。

封装成了提升可靠性和性能的关键

封装是承载器件的载体,也是保证SiC芯片可靠性、充分发挥性能的关键。从封装技术发展看,首先是分立式SiC MOSFET器件,从最初的TO-247 3脚到TO-247 4脚,后来是采用开尔文连接的TO-263 7脚封装,杂散电感得到不断优化,特别是开尔文连接改善了驱动,降低了模块损耗,有助于提升SiC器件的性能。

SiC MOSFET模块面世后,也在利用模块封装不断降低杂散电感,以充分发挥SiC芯片性能;通过采用对称布局和层叠端子,实现了更大功率的模块;标准封装也在逐渐被市场接受,可满足各种多样化需求。

对SiC MOSFET模块来说,除了外形变化,更重要的是如何充分发挥器件性能,让应用更加简单、可靠。所推出的更高集成化的模块,例如从常规MOSFET模块到内置RTC的模块,甚至集成驱动和保护的IPM模块,功能不断提升,使SiC性能得以在用户的各种应用中体现。

封装技术的发展同时兼顾了充分发挥SiC芯片性能和实际应用易用性与可靠性要求,以多样化产品满足了市场的广泛需求。

分立式SiC器件依然故我

依然故我,却并非不思进取,一点也没有改变,这就是分立式SiC器件。三菱电机半导体大中国区高级应用工程师赵瑞表示,分立式SiC器件仍然是PFC、DC-DC、OBC等应用中提升功率密度和效率不可或缺的器件,更何况SiC才刚刚开始导入各种应用呢?

谈到应用场景,赵瑞认为,分立式SiC器件,包括SiC二极管,广泛适用于各种充电应用系统,典型拓扑是一个整流加上PFC、双向DC-DC,以及PLC电路,其优势是减少电抗器、变压器和散热器尺寸。

三菱电机的N系列SiC MOSFET器件具有较低的镜像电容,实现了无误导通风险的宽短路安全工作区(SOA),且开关性能良好,开关损耗低;同时允许体二极管导通工作和栅极负偏置,可靠性高。N系列主要有1200V 80mΩ、40mΩ、22mΩ;封装有TO-247-3、TO-247-4、TO-267-7 3封装;每个型号都有工业版本和车规版本,满足AEC-Q101规格。

好处还不止这些,在系统中采用SiC MOSFET方案,可以进一步缩小体积,减少系统承载,降低系统成本,提高布局灵活度。

目前,三菱电机SiC器件采用第二代平面型芯片技术,以JFET掺杂降低JFET内阻,同时缩小了JFET宽度,使反向输出电容减小,在实现防误导通高鲁棒性的同时进一步减少了开关损耗。

为防止误导通风险,需要提高dV/dt(开关速度)下的输入电容(Ciss)与反向电容(Crss)的比值,对比显示,N系列比值很高,代表误导通能力很强。另外是门槛电压(VGSth)数值,N系列2.3V左右,但即使是在如此低的门槛电压下,在无误导通安全工作区,以及纵轴-5到-10V的门极关断电压(VGS_off)内,N系列在开关速度达到120V/ns都没有误导通,而其他竞品工作区小些,开关速度在70、80V/ns左右,需要把关断门极电压调低一些。

同样,横轴是开关速度,纵轴则是开关损耗。很明显,开关速度越快,器件整体开关损耗越小。几个竞品相比,实线代表N系列可以实现的无误导通风险曲线,虚线表示如果速度加快,就可能有寄生导通风险。在整个横轴,N系列都是实线。

三菱电机分立器件的推荐栅源极电压是-5V到+15V,其他友商绝大部分是0V到18V。SiC的门极有一个栅氧化层,存在门槛电压漂移的问题,尤其是在负压时,门槛电压漂高后,会导致损耗增加,整个温升就会增加,导致器件失效率上升。测试表明,通过使用负电压,+15、-5V脉冲偏置条件下门槛电压都保持不变,充分发挥了SiC开关速度快的能力。

由于分立器件是单管,所以功率能力都比较小,所以不可避免会有并联工作的场景。三菱电机的产品无论导通电阻,还是开关损耗,都是正温度系数,有利于并联;同时,门槛电压偏差最大最小值在1V左右,而不是其他产品2V以上的水平。门槛电压偏差值越小,实际应用中并联越简单、可靠。

现在市面上SiC分立式二极管比较多,三菱电机的策略是以全争胜,产品涵盖600V和1200V 10A、20A规格,还有车规器件。其二极管采用JBS结构,可以降低导通压降,同时提高正向浪涌能力。SiC-SBD基准测试显示,以20A器件为例,与竞品比较,三菱电机的正向导通浪涌及正向压降都比较好。

实践出真知

实际应用表明,使用SiC器件开通损耗、关断损耗、反向恢复损耗都可大幅下降,总体损耗减小了七倍,开关频率大幅度提高。如赵争鸣教授所说:“其实,原来的开关,包括硅基MOSFET和IGBT,开关频率还可以往上提,但是越提损耗越高,效率下降就没有意义了。”

电力电子变换器的第一指标就是效率,效率低就没有什么价值。提高采样频率波形就会更好,SiC的工作频率比硅基器件高很多,可达4到5倍,总损耗显著下降,这正是SiC应用的主要驱动力。




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