当前先进芯片制造工艺获得业界的广泛关注，在ASML的EUV光刻机支持下延续了摩尔定律，然而到了如今硅基芯片已逐渐达到了物理极限，全球众多芯片企业纷纷开发新技术试图绕开EUV光刻机的限制。

对于现有的硅基芯片，全球最大的芯片制造企业台积电研发先进工艺已遇到了巨大阻力，3nm工艺已延迟了一年，在今年三季度研发成功后却被苹果认为用它试产的A16处理器性能不达标，成本却太高，最终苹果舍弃了3nm工艺，导致台积电的3nm工艺面临无客户采用而没有量产。

在先进工艺研发难度、成本高的情况下，台积电如今也开始转向以封装技术提升现有工艺的性能以满足芯片企业的要求，台积电已联合了19家芯片企业成立“3D Fabric ”联盟，以先进的封装技术提高5nm、7nm等现有工艺的性能，甚至可以提升无需EUV光刻机的7nm、16nm工艺芯片的性能。

台积电是ASML的第一大客户之一，更是EUV光刻机的主要买家，在台积电给了ASML一记重锤之后，ASML一直顺从的美国却又给了它一记重锤。美国芯片企业美光表示绕开EUV光刻机研发的10nm级别的1β工艺提升了存储密度30％，而功耗降低了20％，更重要的是成本大幅下降，这主要是因为EUV光刻机比美光现在采用的EUV光刻机贵了2－3倍。

其次是美国光刻机企业Zyvex公司研发电子束光刻机，绕开了ASML的EUV光刻机，并且将先进工艺提升到0．768纳米，打破了ASML尚未量产的第二代EUV光刻机的极限，为芯片制造开辟了新的道路，如此一来美国芯片企业未来很可能不再采购ASML的EUV光刻机。

台积电和美国芯片企业都在舍弃ASML的EUV光刻机，ASML终于开始重新将目光放在中国市场，近期表示将大举扩张光刻机的产能，EUV光刻机产能将提升到90台，DUV光刻机产能增加至600台，然而它迟迟未能对中国自由出货，而中国芯片已经等不及了。

中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm，国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术，如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片，对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降。

在现有芯片技术之外，中国还在加紧开发量子芯片、光子芯片、石墨烯芯片等技术，不少国内芯片企业都公布了它们的相关专利，显示出中国在先进芯片技术方面的突破，其中光子芯片更是中国最快实现商用的技术。

早前中国一家企业就被媒体报道已筹建全球第一条光子芯片生产线，预计最快在明年量产，一旦光子芯片实现商用，那将彻底革新当下的芯片技术，光子芯片的性能比硅基芯片高1000倍，功耗则只有硅基芯片的千分之一，具有广阔的应用前景。

这一切无不显示出全球芯片行业都在绕开成本昂贵的EUV光刻机，降成本已成为芯片行业的共识，可以说以独有的先进EUV光刻机称霸全球芯片制造行业的ASML已到了落幕的时候，尤其是ASML一直顺从的美国绕开EUV光刻机更是给它重击，ASML的艰难日子或许正在到来。

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