《电子技术应用》
您所在的位置:首页 > 电源技术 > 解决方案 > 采用GaN HEMT器件最大限度提高下一代USB充电器功率密度

采用GaN HEMT器件最大限度提高下一代USB充电器功率密度

2022-12-05
作者:英飞凌科技(Infineon Technologies) 首席工程师Matthias Kasper,高级主管工程师Jon Azurza
来源:英飞凌
关键词: 英飞凌 GaN HEMT USB充电

作为减少电子垃圾数量倡议的组成部分,欧盟要求开发一种基于USB-C标准的小型通用充电设备,需要适用于所有类型的可携带设备,如电动自行车、移动设备和功能更加强大的便携式计算机等,所有这些设备都需要定期快速充电。这种设备装置需要满足范围广泛的输出电压,能够在世界各地所有类型电源电压下工作,并具有足以同时对多个设备进行充电的高额定功率。这种要求将使USB-C充电器的功率水平从65 W上升到240 W。在该功率水平上进行功率因数校正(PFC),实现较高功率密度,同时能够在宽电压范围内保持电压调节,这些都变得越来越具有挑战性。氮化镓高电子迁移率(GaN HEMT)器件被认为是实现高功率密度的重要潜在技术。因此,英飞凌科技很早之前就着手研究GaN HEMT是否能够兑现这些承诺,为下一代充电应用提供所需的功率密度水平。在本文中,我们将讨论英飞凌科技采用的技术以及研发成果。


应对挑战

这种新型充电器设计面临着多种挑战,除PFC外,还包括宽范围的输入(90~265 VRMS )和输出电压(5~48V),并需要以高功率密度外形提供两个独立USB-C输出端口。实现高功率密度尤其具有挑战性,因为热量只能通过自然对流和辐射从充电器中消除。图1显示为所需工作效率与功率密度的关系曲线和一个240W充电器的设计规范。为了保持最高70℃的表面温度和最大功率密度,要求设计效率至少达到96%。

1.jpg

选择拓扑架构

为了帮助确定设计的最佳拓扑架构,可以采用不同的控制和隔离功能选项。对于PFC(整流器)级,需要考虑降压、升压和降压-升压型PFC拓扑。升压PFC提供的直流链路电压高于峰值电网电压,但降压PFC级提供的较低电压则可以简化后续DC/DC级设计。然而,在单相系统中使用降压转换器的一个缺点是,它有不连续的电流输入,这会产生电网侧不可接受的谐波,特别是在较低电压更为严重,因此不能使用降压转换器。DC/DC转换器要求进行电流隔离,以提供更安全运行,并允许独立控制两个USB-C端口中的每一个。这可以通过多种方式实现。一种选择是采用混合反激(HFB)DC/DC转换器,然后通过两个降压转换器,提供同步隔离和调节。或者,通过使用具有固定转换比的“DC变压器”(DCX)转换器,第一级DC/DC转换可用于仅提供隔离(无调节)。第三种方法是使用两个隔离和调节转换器(如HFB),每个输出端口一个。但是,这种方式无法提供所需的功率密度水平,因为它需要两个变压器,每个变压器的额定功率为转换器的全部功率。


USB充电解决方案及其性能

使用详细的多目标(效率与功率密度)帕累托优化方式,在充分考虑这些不同方法的相对优缺点之后,可以选择了一个2x交错图腾极点PFC,带升压跟随器(boost-follower)调制,并结合有一个DCX和两个后续降压级(参见图2)。

2.jpg

通过在每个桥臂(即有效值800 kHz)以固定开关频率(400 kHz)连续导通模式(CCM)下运行,并结合较小的升压电感值,PFC级能够在所有负载和输入rms电压条件下的整个线路周期内实现零电压开关(ZVS)。这种模式会在升压电感和开关中产生较大的纹波电流,因此使用了两个交错的高频桥臂,该模式具有下列优点。首先,为了实现零电压开关,电桥每个桥臂的平均电流为PFC总电流的50%,这将每个电感器所需电流纹波减小了一半。其次,桥臂相移180°导致EMI滤波器的有效开关频率加倍,这降低了要求滤波器提供的衰减水平,因此,EMI滤波器可以做得更小。最后,由于功率损耗分布在更多组件上,所以不会出现集中发热点。


DCX转换器在425kHz的谐振频率下工作,并且仅通过使用ZVS过渡的磁化电流来实现ZVS(与负载无关)。选择变压器的匝数比(5.6:1),以便300~400V的直流链路电压范围能够映射到降压级的输入电压范围(52~71V)。这使得能够在DCX级和两个输出降压级中使用额定100V的肖特基栅极(SG)GaN HEMT器件作为同步整流器。

3.jpg

结论

GaNHEMT器件能够在高开关频率下执行软开关和硬开关,其特性允许使用高级拓扑、调制和控制方案。因此,这种240W USB-C充电器设计能够在90Vrms输入和48V输出的满载运行情况下实现95.3%的总体系统效率。系统的功率密度为42 W/in3(无外壳),比现有硅基充电器的功率密度高出约2倍。这些结果表明,GaN HEMT器件能够很好地满足下一代宽输入/输出电压范围、高功率密度USB-C充电器的设计要求。


本站内容除特别声明的原创文章之外,转载内容只为传递更多信息,并不代表本网站赞同其观点。转载的所有的文章、图片、音/视频文件等资料的版权归版权所有权人所有。本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如涉及作品内容、版权和其它问题,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以便迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。联系电话:010-82306118;邮箱:aet@chinaaet.com。