" 三足鼎立 " 的格局会演变为 " 一家独大 " 吗？

据媒体 2 月 7 日报道，SK 海力士制定了 " 一个团队战略 "，其中包括与台积电合作开发第六代 HBM 芯片（HBM4）。

据悉，台积电将负责部分 HBM4 的工艺制造——极有可能是封装工艺，以提升产品兼容性。

HBM（High Bandwidth Memory，高宽带内存）的优势是可以将专用数据处理器直接集成在 DRAM 中，将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中，从而满足 AI 芯片训练的高宽带要求，因而 HBM 也被认为是加速下一代 AI 技术发展的领先存储技术。

相较于前三代 HBM，HBM4 拟更新为更宽的 2048 位内存接口，以解决此前 1024 位内存接口 " 宽但慢 " 的问题，这就需要台积电的先进封装技术来验证 HBM4 的布局和速度。

有业内人士向媒体表示：

" 封装的重要性在下一代人工智能半导体中正在扩大。"

" 这两家被认为是市场巨头的公司之间的合作产生了很大的影响。"

目前，HBM 市场呈现 " 三足鼎立 " 的局面：SK 海力士、三星、美光是全球仅有的三家 HBM 供应商。行业数据显示，2022 年 HBM 市场，SK 海力士占据 50% 的市场份额，三星占比 40%，美光占比 10%。

2023 年下半年开始，SK 海力士、三星和美光这三家 HBM 供应商基本同步开启了 HBM3E 的测试，预计从 2024 年第一季度能实现批量供应。

华尔街见闻此前提及，SK 海力士拟扩大其 HBM 的生产设施投资，以应对高性能 AI 产品需求的增加。公司计划，对通过硅通孔（TSV）相关的设施投资将比 2023 年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在 2024 年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品 HBM3E。

今年发布最新财报时，SK 海力士表示，公司在筹备支持 HBM3E 方面稳步地取得进展，将推进大规模生产 HBM3E，正处于开发下一代 HBM4 产品的正轨之上。

有观点认为，此次 "AI 联盟 " 是针对三星电子建立的统一战线。

此前有分析预测，三星于 2023 年底获英伟达验证通过后，将从 2024 年第一季开始扩大对英伟达的 HBM3 供应——在此之前，英伟达的 HBM 由 SK 海力士独家供应，但如今三星、美光都将加入。

另外，OpenAI 首席执行官 Sam Altman 近日访问了三星电子并讨论 AI 半导体的开发和生产，或进一步彰显三星电子的优势正在凸显。

有半导体行业相关人士向媒体表示：

" 台积电和 SK 海力士联手，是因为决心巩固在 AI 半导体市场对三星电子的胜利 "

" 三星电子的司法风险已经部分化解，但仍存在不确定性……面临巨大挑战。"