一种双向使能的负压低压差线性稳压器
电子技术应用
杨尚争,邓新伟,毛佳烽,胡伟波,尚佳彬
南开大学 电子信息与光学工程学院
摘要: 设计实现了一种可以双向使能的负压低压差线性稳压器(LDO)。首先介绍了传统的负压LDO基本架构及工作特点,根据负压LDO的应用场景,提出负压LDO的使能需要双向使能。其次展示传统的使能电路和提出的双向使能电路,并按照正压启动和负压启动两种情况分析。最后该负压LDO芯片基于350 nm CMOS工艺设计制造,测试结果显示,该负压LDO在使能信号大于0.6 V小于5 V区间和大于-5 V小于-0.9 V区间内可以实现双向启动,且使能电路在正压启动过程中消耗电流873 nA,在负压启动过程中消耗电流219 nA。
中图分类号:TN402 文献标志码:A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246058
中文引用格式: 杨尚争,邓新伟,毛佳烽,等. 一种双向使能的负压低压差线性稳压器[J]. 电子技术应用,2025,51(5):10-14.
英文引用格式: Yang Shangzheng,Deng Xinwei,Mao Jiafeng,et al. A negative-voltage LDO with bidirectional enable[J]. Application of Electronic Technique,2025,51(5):10-14.
中文引用格式: 杨尚争,邓新伟,毛佳烽,等. 一种双向使能的负压低压差线性稳压器[J]. 电子技术应用,2025,51(5):10-14.
英文引用格式: Yang Shangzheng,Deng Xinwei,Mao Jiafeng,et al. A negative-voltage LDO with bidirectional enable[J]. Application of Electronic Technique,2025,51(5):10-14.
A negative-voltage LDO with bidirectional enable
Yang Shangzheng,Deng Xinwei,Mao Jiafeng,Hu Weibo,Shang Jiabin
College of Electronic Information and Optical Engineering, Nankai University
Abstract: This article presents the design and implementation of a negative-voltage low-dropout linear regulator (LDO) with bidirectional enable functionality. Firstly, the fundamental architecture and operational characteristics of the conventional negative-voltage LDO are introduced. Based on the application scenarios of the negative-voltage LDO, the necessity for bidirectional enable is put forward. Subsequently, the traditional enable circuit and the proposed bidirectional enable circuit are demonstrated, and analyses are conducted for both positive-voltage startup and negative-voltage startup scenarios. Finally, the negative-voltage LDO chip is designed and fabricated in a 350 nm CMOS process. The test results indicate that the negative-voltage LDO can achieve bidirectional startup within the enable signal range of greater than 0.96 V and less than 5 V, as well as greater than -5 V and less than -0.9 V. Moreover, the enable circuit consumes a current of 873 nA during the positive-voltage startup process and a current of 219 nA during the negative-voltage startup process.
Key words : low dropout regulator;negative-circuit;enable circuit;quiescent current
引言
随着集成电路的发展,物联网与便携设备的应用越来越广泛,而这些设备都离不开电源管理芯片[1]。电源管理芯片的主要作用是隔离外部电源的波动,提供稳定的输出电压供给芯片[2]。在电源管理芯片中,低压差线性稳压器因其集成度高、功耗低、电源抑制能力强、噪声小而备受关注[3-5]。
传统的低压差线性稳压器一般工作在正电压域,即电源电压大于零[6]。而在某些特殊应用场景中,如通信和基础设施、医疗健康、工业仪表等领域,会出现负电压的情况,需要低压差线性稳压器提供负电压[7-9]。通常情况下,负压电路和正压电路会同时出现在电路系统中,这些电路统一受中央处理器(MCU)的使能控制。
但是MCU只能输出正压使能信号,这就对负压LDO提出了要求,需要负压LDO既能在负压使能信号下启动,也要在正压使能信号下正常启动[10-12]。
为了实现负压LDO的双向使能,本设计基于互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)的工作特点,提出一种可以双向启动的使能电路。首先介绍了负压LDO的基本结构,并根据双向使能信号的电压特点,基于350 nm工艺,设计并制造出可以双向使能的负压LDO,最后进行测试验证,总结结论。
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作者信息:
杨尚争,邓新伟,毛佳烽,胡伟波,尚佳彬
(南开大学 电子信息与光学工程学院,天津 300350)

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