据香港券商报告，三星电子2025年6月未能通过第三次英伟达12层HBM3E芯片认证。

三星电子目前计划于9月进行第四次认证。

三星最新的认证工作未能达到英伟达的标准，这为其进入下一波AI工作负载HBM供应的时间表带来了进一步的不确定性。

尽管三星提前提升了HBM3E的产量，但由于未能获得认证，其供应计划被推迟。

与此同时，美光科技似乎正取得新进展。

美光公司利用韩美半导体的热压键合（TCB）设备，提高8层和12层HBM3E芯片的良率。

12层HBM3E芯片的良率已达到70%，而8层HBM3E芯片的良率则达到75%。