设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究
电子技术应用
刘张李
上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要： 通过比较分析研究射频开关管宽度与堆叠级数变化和栅极与体区偏置电阻对射频开关性能的影响，主要包括前两级射频开关管宽度、不同级数射频开关管宽度、逐步变化射频开关管宽度和偏置电阻等设计参数，对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响。研究结果为射频开关电路设计提供参考。
中图分类号：TN432 文献标志码：A DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.246218
中文引用格式： 刘张李. 设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究[J]. 电子技术应用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
中文引用格式： 刘张李. 设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究[J]. 电子技术应用，2025，51(9)：30-34.
英文引用格式： Liu Zhangli. Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch[J]. Application of Electronic Technique，2025，51(9)：30-34.
Effects of design parameter on power handling capability of RF SOI switch
Liu Zhangli
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation
Abstract： The effects of design parameter on power handling capability of radio-frequency silicon-on-insulator (RF SOI) switch were comprehensively investigated in this work, including the width of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) under different stack, and the Gate/Body bias resistance. The impacts of larger 1st/2nd stage MOSFET width, larger N stage MOSFET width, gradual change MOSFET width and different Gate/Body bias resistance on RF switch insertion loss, isolation and power handling capability were discussed in detail. The result can be reference as RF switch circuit design.
Key words : RF switch；power handling capability；bias resistance；MOSFET width
引言
射频SOI(Silicon-On-Insulator)开关具有低插入损耗、高隔离度、高线性度和高功率处理能力，基本上已完全替代GaAs，成为射频开关主流产品。文献[1-7]研究了不同设计SOI射频开关性能。文献[8]研究大功率模式下衬底网络模型对大信号建模的影响，并给出了SOI衬底横向电阻电容网络和纵向电阻电容网络的建模方法，主要研究对象为SOI衬底。文献[9]研究了首两级在栅极与漏极增加电容对射频开关处理能力的影响。文献[10]研究了不同设计参数对SOI射频开关小信号的影响。从已有参考文献来看，系统分析射频开关管宽度和偏置电阻大小等设计参数对射频开关功率承受能力影响鲜有报道。
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作者信息：
刘张李
（上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海 201203）
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