EDA与制造相关文章 HBM供不应求 美光广岛新厂2027年量产 HBM供不应求，美光广岛新厂2027年量产 发表于：6/13/2024 三星公布芯片技术路线图 6月13日，三星公布芯片技术路线图，以赢得AI业务。 根据三星预测，到2028年其AI相关客户名单将扩大五倍，收入将增长九倍，该公司公布了对未来人工智能相关芯片的一系列布局。三星推出的先进工艺采用的背面供电网络技术将电源轨放置在硅晶圆的背面，该公司表示，与第一代2纳米工艺相比，这种技术提高了功耗、性能的同时，显著降低了电压。 三星还表示，其提供逻辑、内存和先进封装的能力，将有助于公司赢得更多人工智能相关芯片的外包制造订单。公司还公布了基于AI设计的GAA处理器（(Gate-All-Around,全环绕栅极)，其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产，并在其即将推出的2纳米工艺中提供GAA。该公司还确认其1.4纳米的准备工作进展顺利，目标有望在2027年实现量产。 发表于：6/13/2024 埃赛力达推出首款适用于340 nm-360 nm波长范围的LINOS UV F-Theta Ronar低释气镜头 新上市的UV F-Theta镜头采用优化的低释气不锈钢设计，适用于UV紫外激光材料加工应用。 发表于：6/12/2024 意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园 2024年6月6日，中国 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics, 简称ST; 纽约证券交易所代码： STM），宣布将在意大利卡塔尼亚打造一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。通过整合同一地点现有的碳化硅衬底制造厂，意法半导体将打造一个碳化硅产业园，实现公司在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化硅的愿景。新碳化硅产业园的落地是意法半导体的一个重要里程碑，将帮助客户借助碳化硅在汽车、工业和云基础设施等领域加速电气化，提高能效。 发表于：6/12/2024 消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成 消息称三星电子 12nm 级 DRAM 内存良率不足五成，已就此成立专门工作组 发表于：6/12/2024 9家英国半导体公司组团前往中国台湾寻求合作 9家英国半导体公司组团前往中国台湾，寻求合作 发表于：6/12/2024 夏普确认SDP堺市LCD工厂60%区域将改建为软银数据中心 夏普确认SDP堺市LCD工厂60%区域将改建为软银数据中心 发表于：6/12/2024 科学家利用AI造出世界最强铁基超导磁体 6 月 12 日消息，英国和日本科学家利用人工智能AI技术，成功制造出世界上最强的铁基超导磁体，相关论文发表于《亚洲材料》杂志。 发表于：6/12/2024 SK海力士将于2025年一季度量产GDDR7显存 6 月 12 日消息，据外媒 Anandtech 报道，SK 海力士代表在 2024 台北国际电脑展上表示，该公司将于 2025 年一季度开始大规模生产 GDDR7 芯片。 SK 海力士在 COMPUTEX 2024 上展示了 GDDR7 显存，并确认相关颗粒已可向合作伙伴出样。 发表于：6/12/2024 日本连续三个季度50%的芯片制造设备出口到中国 日本连续三个季度50%的芯片制造设备出口到中国 发表于：6/12/2024 沪硅产业拟扩建300mm硅片产能 投资132亿元！沪硅产业拟扩建300mm硅片产能：总产能将达120万片/月 发表于：6/12/2024 英伟达今年将消耗全球47%的HBM 英伟达今年将消耗全球47%的HBM 发表于：6/12/2024 韩国AI芯片厂商DeepX转投台积电3nm制程 韩国AI芯片厂商DeepX转投台积电3nm制程 发表于：6/12/2024 三星16层及以上HBM需采用混合键合技术 內存堆叠高度受限，三星16层及以上HBM需采用混合键合技术 发表于：6/12/2024 传美国将进一步限制GAA技术及HBM对华出口 6月12日，据彭博社报道，知情人士称，拜登政府正在考虑进一步限制中国获得用于人工智能(AI)的芯片技术，这次把目标锁定在了一种刚刚进入市场的新硬件。传美国将进一步限制GAA技术及HBM对华出口 发表于：6/12/2024 «…134135136137138139140141142143…»
