EDA与制造相关文章 多元化增长动能强劲 中微公司薄膜设备新品层出 多元化增长动能强劲，中微公司薄膜设备新品层出 发表于：5/29/2024 曝台积电明年量产2nm工艺 5月29日消息，据媒体报道，台积电将在明年量产2nm工艺，苹果将率先使用这项先进工艺。 据爆料，台积电2nm首次应用了GAA技术，GAA全称Gate-All-Around，中文名为全环绕栅极晶体管，其本质上是一种新型的晶体管设计，可以在更小的制程下提供更好的性能。 在GAA晶体管中，栅极材料包围了晶体管的源和漏，从而提供了更好的电流控制。 这可以帮助减少量子隧道效应，从而使得在2nm甚至更小的制程下的芯片制造成为可能。 发表于：5/29/2024 英特尔三星正寻求玻璃芯片技术挑战台积电 英特尔和三星正寻求通过采用玻璃芯片技术来挑战台积电的市场地位。 发表于：5/29/2024 2nm以下节点装备竞赛打响 台积电魏哲家密访ASML总部 2nm 以下节点装备竞赛打响，台积电魏哲家密访 ASML 总部 发表于：5/29/2024 消息称全球晶圆厂整体产能利用率已达七成左右 半导体行业复苏，消息称全球晶圆厂整体产能利用率已达七成左右 发表于：5/29/2024 NAND Flash开始迈向300层 NAND Flash开始迈向300层 在NAND技术进展方面，在2022年下半年美光、长江存储宣布量产232层NAND之后，SK海力士和三星也分别量产了238层和236层的NAND。相比之下铠侠和西部数据的进展则慢一些，但也达到了218层NAND的量产。目前各家厂商都在积极的迈向300层NAND。 发表于：5/29/2024 台积电或将较原计划提前采用High NA EUV光刻机 5月28日消息，根据wccftech的报道，虽然此前台积电公开表示其路线图上的最尖端制程A16仍将不会采用High NA EUV光刻机，但是最新的消息显示，台积电有可能会修正其既定计划，提前导入High NA EUV光刻机进行试验和学习。 发表于：5/29/2024 SK海力士HBM4芯片2026年将带来6-15亿美元以上营收 SK海力士HBM4芯片2026年将带来6-15亿美元以上营收 发表于：5/29/2024 艾迈斯欧司朗拟对奥地利施泰尔马克州产能及芯片技术升级 中国 上海，2024年5月28日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，艾迈斯欧司朗正不断加大对Premst?tten研发与生产基地的投入力度。艾迈斯欧司朗集团首席执行官兼董事会主席Aldo Kamper与奥地利联邦部长Martin Kocher、施泰尔马克州州长Christopher Drexler共同宣布，至2030年，计划向Premstätten研发与生产基地投资高达5.88亿欧元。同时，依据《欧洲芯片法案》，艾迈斯欧司朗已申请最高2亿欧元的资金支持，该申请目前已处于预通知阶段，并已提交欧盟委员会审批。此次投资旨在进一步增强奥地利半导体行业领军地位，预计在未来几年内创造250个就业岗位。 发表于：5/28/2024 美光计划投资逾50亿美元在日建厂 美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营 发表于：5/28/2024 被苹果踢出苹果供应链：超30年历史晶圆厂面临出售关闭 被苹果踢出苹果供应链：超30年历史晶圆厂面临出售关闭 发表于：5/28/2024 英伟达将提前导入FOPLP封装技术 英伟达将提前导入FOPLP封装技术：2025年应用于GB200 发表于：5/27/2024 三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试 三星否认自家 HBM 内存芯片未通过英伟达测试，“正改善质量” 发表于：5/27/2024 美光科技或向HBM专利持有者支付94亿元赔偿金 美光科技或向HBM专利持有者支付94亿元赔偿金 发表于：5/27/2024 俄罗斯成功制造出首台350nm光刻机 欧美封堵无效！俄罗斯光刻机亮相：可生产350nm芯片 7nm也会拿下 发表于：5/27/2024 «…138139140141142143144145146147…»
