EDA与制造相关文章

荷兰预留13亿欧元挽留光刻机龙头ASML

3月29日消息，据国外媒体报道称，荷兰政府正积极行动，力求确保光刻机技术领军者ASML继续扎根本土。 根据荷兰媒体披露的文件草案，该计划包括恢复对技术移民的税收减免，并为阿斯麦总部所在地——埃因霍温地区的发展预留10亿至13亿欧元资金。 ASML首席执行官温宁克（Peter Wennink）此前曾警告称，该公司高度依赖熟练的外国劳工，并担心荷兰的商业环境正在恶化。

发表于：3/29/2024

SEMI预估台积电英特尔年内建成2nm晶圆厂

3 月 28 日消息，国际半导体产业协会（SEMI）近日发布产业链报告，认为芯片巨头台积电和英特尔有望在今年年底之前建成 2 纳米晶圆厂。

发表于：3/28/2024

ASML新款NXE:3800E EUV光刻机引入部分High-NA机型技术

3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。 根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。 下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 ASML 提高了光学系统的放大倍率，从而将光线入射角调整回合适大小。 但在掩膜尺寸不变的情况下，增加光学系统放大倍率本身也会因为曝光场的减少影响晶圆吞吐量。因此 ASML 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍，这使得曝光场仅用减小一半。 而为了进一步降低曝光时间，提升吞吐量，有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统。

发表于：3/28/2024

SK海力士：HBM今年销售额将占整体内存逾一成

SK 海力士：HBM 今年销售额将占整体内存逾一成，明年供应继续紧张

发表于：3/28/2024

华润116亿成为长电科技实控人

3月27日消息，日前长电科技发布公告称，磐石香港拟以116.58亿元收购22.54%的股权，公司实控人将变更为中国华润。 而在本次股份转让完成前，长电科技无实际控制人，第一大股东和第二大股东分别为大基金和芯电半导体，大基金和芯电半导体分别持有长电科技总股本13.24%和12.79%的股份。 转让完成后，曾经的第一大股东大基金持股比例将降至3.5%，第二大股东芯电半导体则是不再持有上市公司股权。 此前为了达成此项事项，长电科技已连续5个交易日停牌，经向上海证券交易所申请，长电科技股票将于今天上午开市起复牌。 截至发稿时，长电科技股价涨4.35%，总市值达到了527亿元人民币。

发表于：3/27/2024

SK 海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”

3 月 27 日消息，《华尔街日报》昨日称，SK 海力士计划投资约 40 亿美元（当前约 289.2 亿元人民币）在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于 2028 年投产。 对此，SK 海力士在一份声明中表示，公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划，但尚未作出决定。

发表于：3/27/2024

详解ASML High-NA EUV光刻机

英特尔率先拿到该设备，无疑会极大地提升其芯片制造能力和效率。 光刻机一直是半导体领域的一个热门话题。 从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，其稳定可靠的性能为半导体产业的发展奠定了坚实基础；再到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，成功将光刻精度推向了新的高度；再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上历史舞台，进一步提升了光刻的精度和效率，为制造更小、更精密的芯片提供了可能。 ASML官网显示，其组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统。其中一个由ASM与imec合作开发，将于2024年安装在ASML与imec的联合实验室中，预计2025年投入量产。另一个由英特尔在2018年订购， 2023 年 12 月，ASML正式向英特尔交付了首个High-NA EUV 光刻系统——TWINSCAN EXE:5000的首批模块。

发表于：3/27/2024

2023年第四季度按收入规模排名的七大半导体公司

3 月 26 日消息，市场调查机构 Counterpoint Research 近日发布系列信息图，报告了 2023 年第 4 季度全球半导体、代工厂份额和智能手机市场份额。 信息图：2023 年第四季度按收入规模排名的七大半导体公司 英特尔 英特尔凭借着客户机计算部门的出色表现（环比增长 12%），跃居全球半导体市场首位。 三星 三星受内存收入反弹的推动，排名第二，季度收入持平，但面临移动业务疲软挑战。 英伟达 英伟达（NVIDIA）在人工智能服务器领域的主导地位继续支持其半导体收入的增长，因此该公司在 2023 年第四季度排名第三。 博通 博通（Broadcom）位居第四，主要原因是超大规模企业对人工智能数据中心和人工智能加速器的需求强劲。 SK 海力士 SK hynix 也受益于内存复苏，本季度收入连续增长，排名第五。 高通和 AMD 高通（收入不包括 QTL）和 AMD 的营收也实现了连续增长，分列第 6 和第 7 位。

发表于：3/27/2024

台积电3nm获苹果英特尔AMD频频追单

获苹果、英特尔、AMD 频频追单，台积电 3nm 收入大涨

发表于：3/26/2024

三星3nm GAA工艺良率上升至30%至60%

3月25日消息，据媒体透露，有消息人士称，三星电子的3纳米Gate-All-Around（GAA）工艺的良率已经实现了三倍的提高，从先前的10%至20%上升至30%至60%之间，然而，这仍然落后于竞争对手台积电。 除此之外，台积电还宣布今年将3纳米晶圆的产量扩大到每月约10万片，这使得三星几乎没有赶上代工竞争对手台积电的机会。 报道指出，三星电子在其第二代3纳米GAA工艺上投入了更多精力，并在功耗、性能和逻辑区域方面进行了改进。 然而，这并没有为三星吸引更多客户。一份报告指出，要重新赢得像高通等先前的客户认可，三星需要将良率提高到70%。而这些企业在可预见的未来将继续选择台积电。 本月初，韩国媒体报道称，三星电子已经通知客户和合作伙伴，自今年年初起，将第二代3纳米工艺改名为2纳米工艺。 一位业内人士表示：“我们收到了三星电子的通知，他们正在将第二代3纳米工艺更名为2纳米工艺。去年签订的第二代3纳米合同也同步转为了2纳米，因此我们近期需要重新签订合同。”

发表于：3/26/2024

SEMI：中国12英寸晶圆生产设备支出将领先全球

据美国《福布斯》杂志网站24日报道，美国半导体行业组织国际半导体产业协会（SEMI）近日发布的最新报告预测，中国大陆将在主流300毫米（12英寸）半导体工厂设备支出方面领先全球，未来4年每年的投资将达到300亿美元。中国台湾和韩国紧随其后。

发表于：3/26/2024

消息称台积电2nm制程设备安装加速

据台湾《工商时报》消息，半导体供应链消息称，台积电2nm制程加速安装设备，台积电新竹宝山Fab20 P1厂将于4月进行设备安装工程，为GAA（环绕式闸级）架构量产暖身，预计宝山P1、P2及高雄三座先进制程晶圆厂均于2025年量产，并吸引苹果、英伟达、AMD及高通等客户争抢产能。台积电对此不发表评论。

发表于：3/25/2024

SK海力士将斥资900亿美元打造全新半导体生产设施

3月24日消息，据媒体报道，SK海力士计划在韩国京畿道中部的龙仁市投资兴建一座庞大的半导体生产园区，耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元）。 据悉，新的半导体生产园区包括四座独立的晶圆厂，将成为全球范围内规模最大的三层晶圆厂。 SK海力士于2019年公布开发计划，但由于许可问题，开发被推迟。SK海力士表示，通过中央和地方政府以及企业2022年达成的协议，这项计划已获得进展。

发表于：3/25/2024

杨光磊：中国半导体产业将自成体系，但难与全球生态竞争！

杨光磊：中国半导体产业将自成体系，但难与全球生态竞争！ 3月22日，前台积电研发处处长杨光磊在中国台湾科学及技术委员会“科学、民主与社会研究中心”（DSET）主办的《供应链重组与经济安全》国际论坛上表示，中国面对美国对于半导体产业的出口管制必须自主发展，但是需多少时间才能完全自主还不清楚，可能需要几十年才能自成体系。 近年来，在官方支持及内部需求的推动之下，中国半导体产业发展迅速。即便是在美国联合日本、荷兰持续通过限制半导体设备出口来阻碍中国半导体产业发展进程，中国半导体产业的发展也仍未止步。

发表于：3/25/2024

苹果计划 2030年达成所有产品的碳中和

3 月 24 日消息，中国发展高层论坛 2024 年年会今日在北京钓鱼台国宾馆举行，年会主题为“持续发展的中国”，由国务院发展研究中心主办。 苹果公司 CEO 库克在论坛上表示，苹果计划在 2030 年达成苹果所有产品的碳中和。在原材料、生产和运输这三个方面，苹果正推进上百项减碳相关的项目。

发表于：3/25/2024