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铸国家利器 挺民族脊梁 E6500电能质量分析仪震撼上市

铸国家利器 挺民族脊梁 E6500电能质量分析仪震撼上市

广州致远电子股份有限公司推出的最新第二代手持式电能质量分析仪E6500符合IEC 61000-4-30A级标准,并支持最新功率标准IEEE 1459,测量精度达到国际领先水平。它可以捕捉故障现场的谐波、电压、电流、频率、波动、闪变、功率和三相不平衡等常见问题,同时在传统功能上增加了电能瞬态监测、录波分析、能效损耗评估、逆变器测量等高级测量功能。针对不同行业、地区及人群的使用需求和习惯,E6500推出多种独具特色的功能,最大程度上满足用户的差异化需求。

发表于:2016/5/11 下午10:26:00

低损耗三相理想二极管桥整流器减少了热量

低损耗三相理想二极管桥整流器减少了热量

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款低损耗三相理想二极管桥式整流器参考设计并演示在评估板 DC2465 上 。传统的三相整流器采用 6 个二极管,但是二极管会产生电压降,并在负载电流仅为几安培的情况下耗散大量的功率。这需要采用成本昂贵的散热和主动冷却解决方案,因而导致热设计的复杂化和解决方案尺寸的增加。

发表于:2016/5/11 下午10:08:00

雅特生科技全新解决方案可以支持机架扩展架构

雅特生科技全新解决方案可以支持机架扩展架构

雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布该公司以MaxCoreTM 技术为基础的全新解决方案可以支持英特尔公司(Intel)的机架扩展架构(RSA),让网络运营商、电信商和大小企业都可因应市场发展不断提升其软件定义基础架构的操作速度。机架扩展解决方案的优点是可以降低总体拥有成本,这个优点许多企业都清楚知道,其中包括众多需要支持超大规模计算的公司如脸谱(Facebook)、Google、亚马逊(Amazon)以及通信和云服务供应商。

发表于:2016/5/11 下午10:00:00

是德科技为 IMS-SIP 网络仿真器软件添加增强型语音服务编解码器

是德科技为 IMS-SIP 网络仿真器软件添加增强型语音服务编解码器

是德科技公司(NYSE:KEYS)日前宣布为 Keysight E6966B IMS-SIP 网络仿真器软件添加新的 3GPP 增强型语音服务(EVS)编解码器。此外,是德科技还在其 LTE/LTE-A 测试应用软件中添加更多的 IMS/VoLTE 控制功能,从而使运行该应用软件的 UXM 无线测试仪功能进一步增强。

发表于:2016/5/11 下午9:54:00

Melexis公司传感器装置引领TPMS创新新浪潮

Melexis公司传感器装置引领TPMS创新新浪潮

全球微电子工程公司——迈来芯(Melexis)公司,继续在胎压监测系统(TPMS)技术中取得重大进展,推出了其第三代TPMS IC——MLX91804。

发表于:2016/5/11 下午9:29:00

意法半导体MOSFET晶体管技术/封装解决方案

意法半导体MOSFET晶体管技术/封装解决方案

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。

发表于:2016/5/11 下午9:11:00

TI推出65V微功耗降压型转换器具有业界最低的静态电流

TI推出65V微功耗降压型转换器具有业界最低的静态电流

日前,德州仪器 (TI) 推出两款业界最低10.5 μA 静态电流 (IQ) 的 65 V、150 mA 同步 DC/DC 降压型转换器,用于要求高效率的工厂自动化和汽车传感器应用。工业级的 LM5165 和汽车级的 LM5165-Q1 微功耗降压型稳压器具有较宽的输入电压 (VIN) 范围和双控制模式,以优化效率和印刷电路板 (PCB) 面积。通过同时使用这些稳压器和 TI 的 WEBENCH® Power Design 工具,工程师们能够更快地将其工厂和过程自动化设计投放市场。如需获取更多详情、样片和评估模块,敬请访问 www.ti.com.cn/lm5165-pr-cn。

发表于:2016/5/10 下午9:28:00

安森美半导体推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件

安森美半导体推出基于第三代超场截止技术的1200 V器件

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出新系列绝缘栅双极晶体管(IGBT),采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。这些1200伏特(V)器件能实现领先行业的总开关损耗(Ets)特点;显著提升的性能部分归因于极宽的高度触发的场截止层及优化的共同封装二极管。

发表于:2016/5/10 下午9:11:00

英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术

英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET技术

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技术,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。

发表于:2016/5/10 下午9:03:00

免费软件工具让用户通过STM8微控制器开发微型智能设备

免费软件工具让用户通过STM8微控制器开发微型智能设备

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)进一步扩大其深受市场欢迎的STM8微控制器的选择范围,支持智能装置设计人员选用STM8微控制器开发方便现代工作生活的经济型计算任务。

发表于:2016/5/10 下午9:00:00

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