Vishay Siliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

Vishay Siliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

器件为业界首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7 mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET®功率MOSFET；在10V下具有低至3.3mΩ的低导通电阻，+70℃下的最大电流为24A

发表于：2010/11/19 下午3:59:02

Vishay继续扩充IHLP®系列小外形、高电流电感器

Vishay继续扩充IHLP®系列小外形、高电流电感器

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款采用6767外形尺寸的IHLP®小外形、高电流电感器。IHLP-6767DZ-11具有4.0mm的超薄厚度，还具有高效率和低至2.05mΩ的DCR，以及1.0μH～47.0μH的宽范围标准感值。

发表于：2010/11/19 下午3:55:15

Vishay继续扩展Power Metal Strip®电阻系列

Vishay继续扩展Power Metal Strip®电阻系列

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新的采用3921和5931外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻 --- WSLP3921和WSLP5931，电阻具有5W～10W的高功率等级和低至0.0003Ω的极低阻值。

发表于：2010/11/19 下午2:44:54

具备 60V 瞬态保护的 36V 输入、双输出跟踪、3.5A (IOUT)、2.25MHz、降压型 DC/DC 转换器

具备 60V 瞬态保护的 36V 输入、双输出跟踪、3.5A (IOUT)、2.25MHz、降压型 DC/DC 转换器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单片双输出降压型开关稳压器 LT3692。该器件可提供每通道高达 3.5A 的连续输出电流。LT3692 在 3V 至 36V 的输入电压范围内工作，并具有 60V 瞬态保护，使其可理想地用于汽车应用中负载突降和冷车发动的情况。每通道独立的输入、停机、反馈、软启动、限流和比较器引脚简化了复杂的电源跟踪 / 排序要求。LT3692 的用户可编程开关频率为 250kHz 至 2.25MHz，使设计师能够优化效率，同时避开了关键噪声敏感频段。

发表于：2010/11/19 下午2:41:54

奥地利微电子全新超低静态电流升压DC-DC转换器实现最高效率

奥地利微电子全新超低静态电流升压DC-DC转换器实现最高效率

全球领先的通信、工业、医疗和汽车领域模拟集成电路设计者及制造商奥地利微电子公司（SWX 股票代码：AMS）推出AS1310超低静态电流、滞回型升压DC-DC转换器，专为低负载（60mA）所优化，最高效率可达92%。AS1310升压转换器仅消耗1 µA电流，提供业内最低的静态电流，电池供电电压非常广泛，为0.7至3.6V，并提供1.8至3.3V的输出电压。即使负载低至100 µA，效率仍可达85%，极大地延长了电池寿命。

发表于：2010/11/19 下午2:39:40

飞兆半导体改进型栅极驱动光耦合器功耗更低、开关速度更快

飞兆半导体改进型栅极驱动光耦合器功耗更低、开关速度更快

为了满足全球各地的能效标准要求，太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和马达驱动等工业应用的设计人员需要具备更低功耗和更快开关速度的性能更高的栅极驱动光耦合器。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为此开发出一款输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器产品FOD3184。该器件适用于工作频率高达250kHz的功率MOSFET和IGBT的高频驱动，相比常用的FOD3120栅极驱动器，新器件的传输迟延时间缩短了50%，功耗降低了13%。

发表于：2010/11/19 下午2:37:08

安森美半导体进一步扩充时序器件阵容，推出新的VCXO模块

安森美半导体进一步扩充时序器件阵容，推出新的VCXO模块

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)进一步扩充其PureEdge™硅压控晶体振荡器(VCXO)系列，推出6款新器件。

发表于：2010/11/19 下午2:35:13

采用集成功率MOSFET的15 VIN、2.5A同步降压升压DC/DC转换器效率高达95％，实现低噪声运行

采用集成功率MOSFET的15 VIN、2.5A同步降压升压DC/DC转换器效率高达95％，实现低噪声运行

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压升压整流器 LTC3112。该器件可通过多种电源提供高达2.5A 的输出电流，包括单个或多个电池、超级电容器组和墙上适配器。其 2.7V 至 15V 的输入范围和 2.5V 至 14V 的输出范围可以用高于输入、低于或等于稳压输出的电压提供稳压输出。LTC3112 中集成的低噪声降压升压拓扑结构提供了连续的降压和升压模式之间的无抖动过渡，非常适用于 RF 和其它噪声敏感的应用，它必须用一个可变输入电源保持低噪声恒定输出电压。在许多应用中，降压唯一的解决方案可显著延长电池运行时间。LTC3112 的默认 750kHz 开关频率可与 300kHz 至1.5MHz 的外部时钟同步，而专有的第三代降压升压 PWM 电路可确保低噪声、高效率，同时最大限度地减小外部元件的尺寸。纤巧的外部元件结合 4mm× 5mm DFN 或TSSOP - 20E 封装提供了一个紧凑的解决方案。

发表于：2010/11/19 下午2:26:51

Ramtron和奥地利微电子公司合作提供面向数据丰富应用的第三代自动识别RF解决方案

Ramtron和奥地利微电子公司合作提供面向数据丰富应用的第三代自动识别RF解决方案

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 和全球领先的高性能模拟IC设计商与生产商奥地利微电子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于评测第三代数据丰富自动识别应用的MaxArias无线存储器套件。Ramtron的MaxArias无线存储器评测套件在德国慕尼黑electronica 2010展会上首次展出。

发表于：2010/11/19 下午2:23:54

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列　为工业负载点应用提供高密度解决方案

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列　为工业负载点应用提供高密度解决方案

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。

发表于：2010/11/19 下午2:21:55