头条 中国电子技术标准化研究院回应“充电宝3C认证全面失效” 11 月 27 日消息，11 月 25 日有报道称，《移动电源安全技术规范》（征求意见稿）（以下简称“新规”）显示，与旧标准相比，新国标在整机、线路板和电芯三大技术领域提出了数十项严苛改进。 最新资讯 CTSD精密ADC-第4部分：轻松驱动ADC输入和基准电压源，简化信号链设计 本文重点介绍新型连续时间Sigma-Delta （CTSD）精密ADC最重要的架构特性之一：轻松驱动阻性输入和基准电压源。实现最佳信号链性能的关键是确保其与ADC接口时输入源或基准电压源本身不被破坏。使用传统ADC时，为实现输入和基准电压源与ADC的无缝接口，需要复杂的信号调理电路设计--称为前端设计。CTSD ADC的独特架构特性可简化并创新这种ADC与输入和基准电压源的接口。首先，我们快速回顾一下传统ADC的前端设计。 发表于：8/18/2021 拒绝内卷，伏达重新定义功率“触顶”趋势下的充电半导体技术演进路线图 智能手机性能大战发展到今天，硬件比拼已经从手机本身拓展到作为手机必备的充电器，无论是无线充电还是有线充电都早已进入快充时代，而对“快”的定义品牌商都不断刷新新的高度，OPPO、小米、华为、vivo 等手机厂商无一不在快充功能上持续发力--从 20瓦 到 120瓦，一场来自手机厂商们的 “快充大战” 几乎月月上演。在手机电池容量增量几乎停滞的今天，持续不断追求更高充电功率有走入内卷化的趋势。 发表于：8/18/2021 【技术大咖测试笔记系列】之三：怎样选择合适的台式电源？ 电气工程师和电路设计人员供电和测试电路系统设计时，DC电源 <https://www.tek.com/dc-power-supply>是他们使用的测试测量设备 <https://www.tek.com/products>中的标配。那么它有哪些具体功能？怎样才能为应用找到适当的台式电源呢？ 发表于：8/18/2021 大联大友尚集团推出基于ON Semiconductor和MPS产品的750W高效能通讯电源方案 2021年8月17日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股 <http://www.wpgholdings.com/>宣布，其旗下友尚推出基于安森美半导体（ON Semiconductor）和美国芯源（MPS）产品的750W高效能通讯电源完整解决方案。 发表于：8/17/2021 汽车电气化竞争：获胜的途径 虽然 OEM 厂商正在推出电动汽车，以达到这些标准，但目前还没有一种统一方法，来为电机以及车辆的所有子系统供电。 发表于：8/12/2021 大联大友尚集团推出基于ON Semiconductor产品的超小尺寸PD快充电源方案 2021年8月11日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美半导体（ON Semiconductor）NCP1342控制器IC的超小尺寸PD快充电源方案。 发表于：8/11/2021 不插电：电动汽车充电新方式 Lumen Freedom 公司采用基于模型的设计，加快了无线电动汽车的充电系统设计，消除了电动汽车的续航里程焦虑，并推动了绿色技术的发展。 发表于：8/11/2021 快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度 谈及功率领域，SiC、GaN对比硅材料的优势体现在导通电阻小、寄生参数小等天然特性，且更多国内外厂商加速入局，势必进一步拉低第三代半导体的生产成本。因此，业界有一部分声音认为，SiC和GaN将会很快全面替代硅材料，而事实上真是这样吗？ 发表于：8/9/2021 英飞凌推出全新650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT分立器件系列，提供优异效率 近日，英飞凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。 发表于：8/6/2021 英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET功率模块，助力提升功率密度和实现更紧凑的设计 近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。 发表于：8/6/2021 «…133134135136137138139140141142…»
