相变存储器：基本原理与测量技术AET-电子技术应用-最丰富的电子设计资源平台

相变存储器：基本原理与测量技术
所属分类：解决方案
上传者：keithley
文档大小：300 K

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文档介绍：相变存储器（可缩略表示为PCM、PRAM或PCRAM）是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。本文将为您介绍相变存储器的基本原理及其最新的测试技术。
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