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Vishay发布新款microBUCKTM集成同步降压稳压器
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
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IR推出采用PQFN封装的20V、25V及30V MOSFET，适用于ORing和电机驱动应用
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双输出、多相降压型 DC/DC 控制器与 Power Block 和 DrMOS 器件运行
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德州仪器推出具备板载功率 MOSFET 的全集成型Fusion Digital PowerTM 双路功率驱动器
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安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列
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安捷伦科技公司宣布推出用于ADS软件的NXP Semiconductors的射频小信号产品设计套件
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Maxim推出业内首款2串HB LED驱动器
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安森美半导体100 V N沟道MOSFET系列新增具备大电流能力和强固负载性能的方案
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高压、低静态电流同步降压型 DC/DC 控制器在 -55ºC 至 125ºC 的温度范围内工作
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET，继续扩展Super Junction FET®技术
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用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动
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英飞凌推出性能领先业界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壮大功率MOSFET 产品阵容
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接线柱功率铝电容器新增三种更大的外形尺寸
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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
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详细讲解MOSFET管驱动电路
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MOSFET及MOSFET驱动电路总结
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Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
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Vishay Siliconix最新推出的P沟道功率MOSFET的导通电阻不仅为业内最低，更将之前的最低纪录减小了近50%之多
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Vishay推出业界操作电压最高的IGBT和MOSFET驱动器
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