头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 高通与苹果的相爱相杀之路 指控完了又来合作 就在昨天，高通对苹果提出了一项爆炸性的指控，前者在一份新的法庭文件中指控苹果窃取其源代码和其他机密信息，并且交给了英特尔。而在今天的一次新采访中，高通 CEO 史蒂夫·莫伦科普夫(Steve Mollenkopf)说，他预计苹果未来将再次成为高通的客户。 发表于：2018/9/28 为啥华为不把麒麟芯片外卖 为什么华为的麒麟芯片不外卖？华为高管这样说 发表于：2018/9/28 功率电子设计中的碳化硅共源共栅器件及其优势 几乎没有必要用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术来描述宽带隙（WBG）器件的质量，因为单从这些器件标注的名称已经足以保证极高的功率密度和匹配效率，最近的一个例证是“小盒子挑战”，它将特定转换器的目标功率密度提高了三倍。在实际系统中，设计人员需要通常由SiC MOSFET和增强型GaN（e-GaN）HEMT单元提供的OFF开关，但它们并不十全十美，都有自己的局限性和缺陷。这两种类型的器件都需要非常特殊的栅极驱动电压。SiC MOSFET具有相对较差的体二极管，而GaN器件则没有经典的体二极管，且没有雪崩电压特性。在“斩波器”、半桥和“图腾柱”功率因数（PFC）级等许多实际应用中，需要体二极管或其他类似的器件。为了显著提高效率，SiC-MOSFET和GaN HEMT需要并联一个高性能二极管，增加了总体成本和复杂性。 发表于：2018/9/27 从起源到氮化镓/碳化硅等材料，一文读懂半导体材料进化史 现代世界里，没有人可以说自己跟“半导体”没有关系。半导体听起来既生硬又冷冰冰，但它不仅是科学园区里那帮工程师的事，你每天滑的手机、用的电脑、看的电视、听的音响，里面都有半导体元件，可以说若没有半导体，就没有现代世界里的轻巧又好用的高科技产物。 发表于：2018/9/27 我国碳化硅器件制造关键装备研发取得重大进展 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。但长期以来，我国SiC器件的研制生产主要依赖进口。SiC器件关键装备的成功研发对加快解决全产业链的自主保障、降低生产线建设与运营成本、促进产业技术进步和快速发展壮大等方面具有重大的推动作用。 发表于：2018/9/27 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。 发表于：2018/9/27 国内首条全碳化硅智能功率模块生产线在厦投产 厦门中小平台消息，国内首条全碳化硅智能功率模块生产线将在厦门正式投产，标志着我国在碳化硅芯片这个新兴行业又实现了一次重要突破。值得一提的是，这一中国半导体行业健康发展的新亮点是“厦门制造”，由厦门市火炬高新区企业厦门芯光润泽科技有限公司研发。 发表于：2018/9/27 碳化硅芯片需求激增 电动车及车载设备是主要驱动力 据外媒报道，随着电动车及其他车载系统的增长，碳化硅功率半导体市场内的产品需求也随之激增。汽车市场增长机遇较大，特别是电动车细分市场。基于碳化硅的功率半导体被用于电动车的车载充电装置，而该技术正被引入牵引逆变器这一核心部件，可为电机提供牵引力，驱动车辆前行。碳化硅功率场效应晶体管在汽车市场中的应用潜力较大，但仍面临成本、长久的耐用性及模块化设计等方面的挑战。2017年碳化硅功率电子件业务的收入达到3.02亿美元，相较于2016年的2.48亿美元，同比增幅高达22%。 发表于：2018/9/27 半导体代际迅速发展，罗姆：争取2022年普及碳化硅 科技是人类一大进步的基石，自从第一次工业革命开始后，人类发展的速度突飞猛进。越来越多科技产品的出现便利了人们的生活，现如今人们离不开电子产品等时代的产物了。 发表于：2018/9/27 SiC器件的优点被熟知近60年为什么还未普及？ 如果硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础，砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料奠定了信息产业的基础，那么以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料将是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑。凭借禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，SiC器件备受期待，但工艺和成本成为其普及的障碍。不过，在可以预见的未来，我们将看到SiC对电动汽车行业产生的革命性影响，电动汽车也将引领SiC器件的普及。 发表于：2018/9/27 <…2728272927302731273227332734273527362737…>
