头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 东京大学发明新型电子导体材料，贴在皮肤上面的“电子纹身” 东京大学工学研究生院的 Takao Someya 教授和他的团队创造出一种超薄的电子导体材料。 发表于：2017/10/12 医疗AI发展加速，预防医学导入最为迅速 人口高龄化、经济水平提升带动医疗需求上升，而庞大的医疗支出与医疗人力资源短缺也是世界各国共同面临的挑战，全球市场研究机构集邦咨询指出，资通讯技术(ICT)在医疗健康领域的应用，可由应用目的分类为预防医学、数字医疗以及精准医疗等三大部分，目前最积极导入人工智能(AI)为预防医学领域。 发表于：2017/10/12 亚马逊服务器泄密，至少涉及15万病人信息 北京时间10月11日上午消息，据安全研究机构Kromtech Security Researchers披露，一家医疗服务机构存储在亚马逊S3上的大约47GB医疗数据意外对公众开放，其中包含315363份PDF文件。 发表于：2017/10/12 MOS管和三极管做开关用法比较 MOSFET的管压降，一般指的是静态压降。只要知道导通阻抗和通过的电流的话用上面的公式就可以计算出来压降是多少了。 发表于：2017/10/12 如何正确选择MOS管 在一些电路的设计中，经常会使用MOS管，正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题，更是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应用，会避免很多问题。 发表于：2017/10/12 MOS管的几种效应 1 沟道长度调制效应（channel length modulation） MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。 发表于：2017/10/12 MOS管参数解释 MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。 发表于：2017/10/12 MOS管 基础知识与应用 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 发表于：2017/10/12 MOS管的好坏判断 主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S 万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。 发表于：2017/10/12 三极管和MOS管的区别是什么 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以 npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时， 发表于：2017/10/12 <…3405340634073408340934103411341234133414…>
