头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 英伟达推下一代全自动驾驶计算机芯片 据报道，当地时间周二，硅谷图形芯片制造商英伟达公布了首款用于开发全自动驾驶汽车的计算机芯片，并表示有超过25家客户使用此芯片研发新一代无人驾驶汽车、自动驾驶出租车和长途卡车。 发表于：2017/10/12 英特尔成功开发新型超导量子计算芯片 产业发展望提速 量子计算将会成为下一次技术革命的核心，你可能认为它还很遥远，实际上量子计算会比预料的来得早。去年5月IBM开始测试量子处理器，科学家在实验中发现我们可以将硅掺进钻石，用来制造实用的量子计算机。谷歌正在考虑用云计算形式提供量子计算服务，微软想为量子计算创造新的编码语言。现在英特尔也取得突破，量子计算朝着现实前进了一大步。怎么做到的？英特尔用先进材料技术和制造技术开发一款新超导芯片，并将芯片交给研发合作伙伴QuTech测试。 发表于：2017/10/12 台积电计划在2022年建成3nm工艺芯片工厂 据国外媒体报道，目前高端的智能手机处理器生产工艺都提升到了10nm，而著名的芯片代工商台积电已将芯片工艺目光瞄向了更高端的3nm。 发表于：2017/10/12 台积电3nm制程建厂定在台湾南科 根据台积电的公告表示,经过公司内部的评估,3纳米建厂将再继续落脚台湾,并选择台南做为建厂地点,以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。而这次的公布,较早先台积电所说,将在2018年决定建厂地点的时间有所提早。 发表于：2017/10/12 中国集成电路产业规模首破千亿 背后隐忧仍存 近年来，我国集成电路制造业得到了快速发展，年产值已突破千亿元大关。受利好因素影响，国内正迎来新一轮集成电路投资热潮。但专家表示，集成电路产业核心技术受制于人、产品市场占有率较低、配套的设备与材料发展不足等短板犹待破解。 发表于：2017/10/12 把握新机遇，4G/5G时代下新型元器件与材料面临的挑战 随着4G在全球实现规模商用，5G技术已成为全球移动通信产业的研发重点。5G不仅自身具有巨大的产业价值，还能带动芯片、器件、材料、软件等多种基础产业的快速发展。5G将与互联网、物联网以及工业、交通、医疗等行业应用融合地更加紧密，进而推动新一轮的产业创新浪潮。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。 发表于：2017/10/11 晶体管简介 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 发表于：2017/10/11 电动自行车用电机控制器原理与维修（A） 电动车用电机控制器近年来的发展速度之快，使人难以想象，操作上越来越“傻瓜”化，而显示则越来越复杂化。比如，电动车车速的控制已经发展到“巡航锁定”；驱动方面，有的同时具有电动性能和助力功能，如果转换到助力状态，借助链条张力测力器，或中轴扭力传感器，只要用脚踏动脚蹬，便可执行助力或确定助力的大小。这期本刊开始给您讲述控制器的知识，让您对控制器有一个更全面的了解。 发表于：2017/10/11 mosfet的驱动和保护 电力场效应管是单极型压控器件，开关速度快。但存在极间电容，器件功率越大，极间电容也越大。为提高其开关速度，要求驱动电路必须有足够高的输出电压、较高的电压上升率、较小的输出电阻。另外，还需要一定的栅极驱动电流。 发表于：2017/10/11 mosfet的安全工作区 正向偏置安全工作区，如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ，4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况：直流DC，脉宽10ms，1ms,10μs。它与GTR安全工作区比有2个明显的区别：①因无二次击穿问题，所以不存在二次击穿功率PSB限制线；②因为它通态电阻较大，导通功耗也较大，所以不仅受最大漏极电流的限制，而且还受通态电阻的限制。 发表于：2017/10/11 <…3408340934103411341234133414341534163417…>
