头条 2025年超半数手机SoC基于5nm及以下制程 3 月 24 日消息，Counterpoint 昨日表示，2025 年超过一半的全球智能手机 SoC 采用了 5nm 及以下工艺（注：以下称为“先进制程”）。随着苹果、高通、联发科今年各自推出 2nm 旗舰 AP 和中低端产品线的节点升级，这一比例有望上探 60%。 最新资讯 展通商机、会聚天下， 近百位行业专家解读中国电子制造业未来发展 展通商机，会聚天下，NEPCON South China每年都会以会议与展览并行的形式，为行业专业人士打造交易和交流的平台。8月27日至8月29日三天，在深圳会展中心，NEPCON South China 2013倾力呈现数十场权威、高端、前瞻性的行业盛会。 发表于：2013/7/29 联发科技推出全球首款三卡三待3G智能手机解决方案 2013年7月25日，全球无线通讯及数字多媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek, Inc.) 今天宣布，因应新兴市场对于多卡漫游的巨大需求，推出全球首款三卡三待(Triple SIM)3G智能手机解决方案。此解决方案已获LG Optimus L4II采用，日前已于巴西正式上市。 发表于：2013/7/29 苹果手机采用In-cell内嵌式触控传感线路结构、平板电脑采用DITO薄膜结构 苹果iPhone 5采用的in-cell触控传感线路结构和iPad采用的GF2（DITO film，单片薄膜双层线路结构）冲击了触控面板产业供应链。 发表于：2013/7/29 Vishay发布用于军工和航天应用的 新款液钽高能电容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款液钽高能电容器---HE4，这款器件在+25℃和1kHz条件下的最大ESR只有0.025Ω，在市场上类似器件当中容量最高。HE4的制造工艺使其可以承受高应力和恶劣的环境，采用可在军工和航天应用中提高可靠性和性能的特殊壳体设计。 发表于：2013/7/29 MATLAB 和 SIMULINK 已成功部署到国际空间站的NASA SPHERES 项目中 MathWorks 今天宣布，MATLAB 和 Simulink 已成功部署到国际空间站中，成为NASA “SPHERES”(Synchronized Position Hold Engage and Reorient Experimental Satellites) 项目中不可或缺的一部分。 发表于：2013/7/29 Vishay多款产品入围Electronic Design 年度“Top 101 Components” 2013 年 7 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的IWAS-3827EC-50无线充电接收线圈、VCNL3020接近传感器、SMA6F瞬态电压抑制器(TVS)、P16S面板式电位计、193 PUR-SI Solar功率铝电容器和VLMU3100紫外线(UV)LED入围Electronic Design的“Top 101 Components”。 发表于：2013/7/29 联发科技推出全球首款实现异构多任务技术的平板电脑单芯片MT8135 2013年7月29日，全球无线通讯及数字多媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司 (MediaTek Inc.) 今日宣布，推出最新旗舰级标准的四核平板电脑单芯片MT8135。联发科技MT8135领先业界以系统解决方案优化ARM® 大小核架构，支持先进的异构多任务技术(Heterogeneous multi-processing, HMP)，并高度整合Imagination Technologies最新PowerVR™ Series6 图形处理器(GPU)。 发表于：2013/7/29 基于RFID技术的智能电网设计方案 1RFID工作原理RFID又称电子标签，90年代后得到了极为迅速的发展，它利用无线射频方式进行非接触双向通信来识别目标和交换数据。与传统的磁卡，IC卡相比，它的最大特点在于非接触，无需人工干预，适合于实现系统的智能化，操作快捷方便，不易损坏。2RFID射频识别系统的构成（1）RFID电子标签，由耦合元件及芯片组成，每个标签具有唯一的电子编码，附着在物体上标识目标对象。（2）读写器，读取标签信息的设备，可分为手持式和固定式。（3）天线，用于在标签和读写器之间传递射频信号。它一方面给电子标签提供能量，另一方面接收电子标签上发出的信息，同时也能传递信息给电子标 发表于：2013/7/27 德州仪器最新高速差分放大器支持 80% 的节能，可实现最佳功率性能比 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出两款可提供业界最佳功率性能比的差分放大器，进一步壮大其高速放大器产品阵营。与性能最接近的同类竞争产品相比，该单通道 THS4531A 与双通道 THS4532 可在将功耗降低 80% 的同时，支持四分之一输入参考噪声与 7 倍带宽。这两款器件可充分满足功耗至关重要的低功耗数据采集系统与高密度应用需求，例如测量测试设备、数字与超声波水流量表等。 发表于：2013/7/26 一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路 提出了一种可用于标准CMOS工艺下且具有二阶温度补偿电路的带隙基准源。所采用的PTAT2电流电路是利用了饱和区MOSFET的电流特性产生的，具有完全可以与标准CMOS工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动的问题，引入了一个电阻，使其可以正常启动。基准核心电路中的共源共栅结构和串联BJT管有效地提高了电源抑制比，降低了温度系数。基于TSMC 0.35 μｍ CMOS工艺运用HSPICE软件进行了仿真验证。仿真结果表明，在3.3 V供电电压下，输出基准电压为1.225 4 V，温度系数为2.91×10-6V/℃，低频的电源抑制比高达96 dB，启动时间为7 μs。 发表于：2013/7/26 <…4385438643874388438943904391439243934394…>
