前不久，OTP技术的主要领导者Kilopass宣称，推出革命性的VLT技术，进而颠覆全球DRAM市场。这一消息顿时在DRAM产业界掀起巨浪，赞誉和质疑纷至沓来。到底什么是VLT技术？与当前基于电容的DRAM产品相比，VLT带来哪些改变？它的成长还需要哪些必不可少的因素？ DRAM市场又是否会欢迎它的到来？

VLT：应用于DRAM的晶闸管技术

VLT，即Vertical Layered Thyristor，垂直分层晶闸管技术。使用VLT技术，授权商能够迅速高效地提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。

晶闸管是一种结构复杂的电子器件，结构上非常适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。之前人们就曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。

Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。

当然，VLT技术也存在其局限性。其存储单元的读写方式是Intel和美光所采用的XPoint的读写方式，只能靠发送的电压变化发生，这种读写方式使得VLT技术推广过程中将面临很大的挑战。

Kilopass：我们希望与合作伙伴一起为VLT构建健康的成长环境

作为一项全新的技术，虽然它具备诸多明显的优势，但想要真正地为市场所认可，进而构建成熟稳定的生态圈，这必然是一个艰辛而漫长的过程。

Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道：“我们希望能在全球寻找三到四家企业授权，共同为VLT技术的推广和使用努力。对于这几家最终入选的企业，Kilopass希望它们来自不同的国家或地区，几者之间能够形成如同三国一样，相互督促、相互牵制的成熟、稳定的良性竞争关系。”

就中国而言，国务院于2014年6月颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》，要实现其中集成电路行业产值从2015年3,500亿人民币以年均20%的增速达到2020年约8,700亿人民币这一目标，DRAM产业的增长显得至关重要。因此中央和地方政府都对DRAM产业给予了巨大关注与扶持。Kilopass也认为，目前中国的市场对VLT的发展非常有利，目前也与一些企业洽谈中，希望能够在中国半导体存储器产业中寻找到一个合作伙伴。

DRAM产业：门槛过高 巨头垄断

DRAM的最核心的技术是电容存储单元，它带来了一系列的制造挑战，导致DRAM市场准入门槛非常高。而且，目前DRAM市场被三星、海力士和美光三家企业所垄断，想在DRAM市场闯出一片新天地，绝对是一场硬仗。

为了进入DRAM市场，必须避免正面冲突，另辟蹊径，利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。VLT正是这样一个选择。目前，Kilopass已可以向数量有限的特许受让人提供VLT DRAM技术，用于20nm到31nm工艺技术节点。并使用其突破性的TCAD模拟器，在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟，新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。