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中国突破了NAND和DRAM技术,可望逐渐减小对国外的依赖

2019-06-18
关键词: 存储 DRAM 芯片

在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片的技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制造业的芯片产业取得了重大突破,这为中国制造业的转型升级提供有力的支持。

中国存储芯片逐渐起步

一直以来,我们都知道中国大量进口石油,然而早几年前的统计数据显示,其实中国进口芯片的金额甚至超过了石油,而芯片被喻为“工业粮食”,是制造业的核心技术,这对于贵为全球最大制造国的中国来说,芯片产业的重要性不言而喻,因此在2014年中国成立了集成电路产业基金,以推动国产芯片产业的发展。

在华为海思、紫光展锐、瑞芯微等芯片企业的努力下,中国在移动芯片市场已占有一席之地,甚至华为海思和紫光展锐已成为全球六大手机芯片企业,不过早两年国产芯片在存储芯片行业几乎为零,存储芯片主要由三星、SK海力士、东芝、镁光等把持。

面对国外企业在存储芯片行业所拥有的垄断优势,中国开始在存储芯片行业投入巨资,其时中国有长江存储、合肥长鑫、福建晋华等三家存储芯片企业介入这个行业,经过数年的发展,它们在前年开始逐渐取得一些成绩。

面对中国存储芯片产业逐渐见到起色,国外存储芯片企业相当担忧,其中镁光率先发难,导致福建晋华遭遇了一些困难;今年华为又受美国因素的影响导致在芯片供应方面遇到阻碍,其中镁光已暂停向华为供应存储芯片。这都让中国认识到存储芯片产业的重要性,更激发了中国发展自己的存储芯片产业的决心。

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长江存储在去年投产32层的NAND flash存储芯片,不过由于当前主流的3D NAND flash技术为64层技术,长江存储的NAND flash在技术和成本上都不占优势,因此它并没进行大规模投产,到今年其成功研发出64层NAND flash技术,跟上了市场的主流技术,预计在明年开始大规模投产。

合肥长鑫吸取了福建晋华的教训,其技术来源于已破产的德国芯片制造商英飞凌旗下公司Qimonda,此举让它避免了福建晋华的遭遇,而且其芯片制造工艺接近国外DRAM芯片企业的技术水平,其当下试产的DRAM采用了19nm工艺,这是全球第四家采用20nm以下工艺的DRAM芯片企业,它预计到2021年将采用17nm工艺生产DRAM,到时候将赶上三星、SK海力士等主流DRAM芯片企业。

中国可望逐渐降低对外国存储芯片的依赖

当下长江存储已在推进64层NAND flash的生产,合肥长鑫也在为DRAM的大规模生产做准备,回顾中国在液晶面板行业花了近十年时间才赶上国外液晶面板行业的技术水平,中国的存储芯片产业刚开始投产就已接近国外同行的水平,可见国产存储芯片产业的起点是相当高的。

中国是全球最大制造国,2018年中国采购的存储芯片占全球的比例超过两成,这庞大的市场将有助于推动国产存储芯片产业的发展,而在当前面临众所周知的美国因素影响下,中国或许将加大对存储芯片行业的支持力度,加快存储芯片产业的发展,尽早降低对国外存储芯片的依赖。

对于中国的企业来说,华为、中兴的遭遇也将刺激它们加大对芯片行业的支持力度,格力已宣布将投资500亿发展空调芯片,华为在手机芯片上已取得巨大的成就,业界甚至推测华为或会对长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业提供支持。在面板行业,华为已与京东方达成合作,去年的mate20 Pro部分采用了京东方的OLED面板,今年的P30 Pro全数采用京东方的OLED面板,目前颇受关注的华为折叠手机mateX也是它们共同合作的成果,如此也就难怪业界推测华为可能支援国内存储芯片产业的发展了。

中国制造业拥有成本优势,这种成本优势也将在存储芯片行业有所体现,也正是这种成本优势让美日韩担忧随着中国存储芯片企业进入该行业,目前正处于价格下跌周期的存储芯片可能将因此进一步下跌,这对于中国制造业来说或许是利好消息,这将有助于在全球采购大量存储芯片的中国制造业进一步降低成本提升竞争力。

众志成城之下,国产存储芯片的发展或许将会加速,随着国产存储芯片企业的崛起,或许在未来两三年,中国制造业对国外存储芯片的依赖将会有所下降,存储芯片产业的发展显然是颇为值得国人自豪的成就。