近日，据外媒报道，长鑫存储正式宣布其成为了国内第一家也是唯一一家DRAM供应商。

　　长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将生产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并获得了工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。

　　目前长鑫存储已经完成了合肥Fab 1及研发设施建设，该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速度会提升到40000晶圆/月，大概能占到全球内存产能的3%。预计到 2020 年底，其 10nm 级工艺技术的产能为 12 万片晶圆（12 英寸），媲美 SK 海力士在中国无锡的工厂。

　　长鑫存储已经开始生产基于 19nm 工艺的计算机存储器，且该公司至少制定了两条以上的 10nm 级制程的路线图，计划在未来生产各种类型的DRAM。为了提升产量，长鑫存储还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国制造 2025 项目的一部分，其有望支撑全球一半左右的 DRAM 需求。

　　长鑫存储正在使用其 10G1 技术（19 nm 工艺）来制造 4 Gb 和 8 Gb DDR4 存储器芯片，目标在 2020 年第一季度将其商业化并投放市场，该技术将用于在 2020 下半年制造的 LPDDR4X 存储器。

　　从路线图来看，CXMT 还规划了针对 DDR4、LPDDR4X、DDR5、以及 LPDDR5 的 10G3（17 nm 工艺）产品。尽管目前尚无法撼动业内老牌竞争对手，但该公司相当重视创新工艺的研发和产能的扩张。

　　预计长鑫存储 10G5 工艺将使用 HKMG 和气隙位线技术，并在远期使用柱状电容器、全能栅极晶体管、以及极紫外光刻（EUVL）工艺。

　　尽管该公司计划于 2019 年初开始生产 DDR4 内存，但新路线图已经推迟了一年。最后，该公司还计划再建两座 DRAM 晶圆厂。

　　目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光，它计划于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂，距离量产还要3-5年时间。

　　就在前几天，长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议，依据专利许可协议，长鑫存储从Polaris获得大量DRAM技术专利的实施许可。依据独立的专利采购协议，长鑫存储从Polaris购得相当数量的DRAM专利。